50SVPK120M是一款高性能的功率MOSFET,采用TO-247封装形式。该器件适用于高电压和高电流应用场合,具有低导通电阻、快速开关特性和高可靠性等特点。它通常被用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效能功率管理的电子设备中。
该器件由知名半导体制造商生产,能够承受高达1200V的漏源极电压,同时具备强大的电流处理能力。
型号:50SVPK120M
封装:TO-247
Vds(漏源极电压):1200V
Rds(on)(导通电阻):0.35Ω
Id(连续漏极电流):50A
Ptot(总功耗):360W
f(工作频率范围):最高可达100kHz
Tj(结温范围):-55℃至+175℃
50SVPK120M具有以下显著特点:
1. 高耐压能力,最大漏源极电压为1200V,适合高压环境下的应用。
2. 低导通电阻(Rds(on)),在典型工作条件下仅为0.35Ω,可有效降低传导损耗。
3. 快速开关性能,优化的栅极电荷设计使得其能够在高频条件下保持较高的效率。
4. 强大的电流承载能力,支持高达50A的连续漏极电流。
5. 良好的热性能,能够适应极端温度范围,从-55℃到+175℃。
6. 符合RoHS标准,环保且适合现代工业要求。
50SVPK120M广泛应用于各种功率转换和控制领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的功率级开关。
3. 工业电机驱动和逆变器。
4. 太阳能光伏系统中的功率管理模块。
5. 各类负载切换和保护电路。
由于其高电压和大电流特性,这款器件非常适合需要稳定可靠功率输出的应用场景。
IRG4PC30KD
FQA68P120E
STW93N120K5