类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：800V
　　栅源电压(Vgs)：±30V
　　连续漏极电流(Id)：1.5A（在25℃）
　　功耗(Pd)：50W
　　工作温度范围：-55℃～150℃
　　封装类型：TO-220

TSM1N80CWRP的主要特性之一是其高耐压能力，漏源电压可达到800V，这使其非常适合用于高压电源转换系统。此外，该MOSFET具有较低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。
　　该器件的栅源电压范围为±30V，具备良好的栅极稳定性，确保在不同工作条件下仍能保持稳定运行。同时，其连续漏极电流能力为1.5A，在高温环境下也能维持较高的性能水平。
　　在热管理方面，TSM1N80CWRP采用高效的封装设计，能够有效散热，确保在高负载情况下稳定工作。其最大功耗为50W，适用于需要长时间高功率运行的应用场景。
　　该MOSFET还具有较高的开关速度，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。此外，其宽工作温度范围（-55℃至150℃）使其能够在恶劣环境下正常运行。

TSM1N80CWRP通常用于电源管理系统，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器以及电机控制电路。在这些应用中，该MOSFET的高耐压和低导通电阻特性可以显著提高系统的能效和可靠性。
　　它也常用于工业设备、电源适配器、LED驱动器以及家用电器中的功率控制模块。由于其具备较高的热稳定性和耐用性，适合在高温或恶劣环境条件下使用。
　　此外，该器件也可用于电池管理系统（BMS），用于控制电池充放电过程，确保电池的安全运行。其高频开关特性还可用于音频放大器和功率放大电路中，提供更高的输出效率和更低的失真。
　　在新能源领域，例如太阳能逆变器和电动汽车充电系统中，TSM1N80CWRP也能够发挥重要作用，提供高效的功率转换能力。

TK1N80K3S、STW1N80K5、FQA1N80、IRF840、2SK2143