时间：2025/9/14 9:19:43
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PMPB20XPEAX是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率开关应用而设计。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高耐压和优异的热性能，适用于多种工业和消费类电子设备。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）：10A（在25°C）
导通电阻（Rds(on)）：约0.45Ω（典型值）
栅极电荷（Qg）：22nC（典型）
封装形式：TO-220
工作温度范围：-55°C至175°C
PMPB20XPEAX具有低导通电阻，这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。其高耐压能力（200V）使其适用于高电压输入的电源转换系统。该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热性能，能够在较高的环境温度下稳定工作。此外，PMPB20XPEAX具有较强的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下提供额外的可靠性保障。其栅极驱动要求较低，能够与多种控制器和驱动器兼容，简化了驱动电路设计。该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体能效。
由于其坚固的设计和优异的性能，PMPB20XPEAX适用于多种高要求的应用场景，如DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电源管理模块等。它在高功率密度和高效率设计中表现出色，能够满足工业自动化、消费电子、照明系统和电源适配器等领域的需求。
PMPB20XPEAX广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动器、LED照明驱动电路、工业控制设备以及家用电器中的功率开关部分。其优异的电气性能和热管理能力使其成为高效能、高可靠性电源设计的理想选择。
STP10NK50Z, FQP10N20C, IRFZ44N
