时间：2025/6/16 19:42:48
阅读：10
TPSMB13A-5100/2T是一种高效的N沟道增强型MOSFET功率晶体管，广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电机驱动等场景。该器件采用了先进的半导体制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度以及出色的热性能，能够在高频应用中提供高效的能量转换和可靠的运行。
TPSMB13A系列的封装设计使其能够承受较高的电流负载，并具备良好的散热特性，适用于需要高效能和紧凑设计的应用场合。
最大漏源电压：51V
连续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：4.8mΩ
栅极电荷：9nC
开关时间：ton=16ns, toff=12ns
工作结温范围：-55℃至175℃
封装类型：TO-263-2（DPAK）
TPSMB13A-5100/2T的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频开关电源和其他高频应用。
3. 优化的栅极电荷和阈值电压设计，降低了驱动功耗。
4. 具备ESD保护功能，增强了器件的鲁棒性。
5. 小型化的封装形式（如TO-263-2），有利于节省PCB空间。
6. 支持宽范围的工作温度，适应各种严苛环境下的使用需求。
7. 符合RoHS标准，绿色环保无铅工艺生产。
TPSMB13A-5100/2T主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和功率级开关。
2. DC-DC转换器，例如降压或升压拓扑结构。
3. 汽车电子设备中的负载开关和电机控制。
4. 工业自动化设备中的功率管理模块。
5. 可再生能源系统，例如太阳能逆变器中的功率开关。
6. 消费类电子产品中的充电器和适配器设计。
由于其低导通电阻和高速开关特性，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现出色。
TPSMB13A-5100/2T-A, TPSMB13A-5100/2T-B
