时间：2025/6/6 16:37:30
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MBRF20100G 是一款高性能的 NPN 型硅功率晶体管，专为高频和高功率应用设计。该晶体管具有低饱和电压、快速开关特性和高增益等优势，适用于各种功率放大器、开关电源以及高频电路中。
集电极-发射极击穿电压：100V
集电极最大电流：20A
功率耗散：200W
直流电流增益（hFE）：30~100
过渡频率（fT）：450MHz
存储温度范围：-55℃至+150℃
工作结温范围：-55℃至+150℃
MBRF20100G 具有以下显著特点：
1. 高击穿电压允许其在高压环境下运行，同时保证稳定性。
2. 低饱和电压减少功耗，提升效率。
3. 快速开关速度使其非常适合高频应用，如射频功率放大器和高速开关电路。
4. 高电流能力支持大功率负载驱动。
5. 宽广的工作温度范围使其能够适应恶劣的环境条件。
6. 高可靠性设计确保长时间稳定运行。
MBRF20100G 广泛应用于以下领域：
1. 射频功率放大器。
2. 开关电源中的高频开关元件。
3. 工业控制设备中的功率驱动电路。
4. 通信系统中的信号放大模块。
5. 高效电力转换器中的关键元件。
6. 各种需要高功率和高频性能的电子设备。
MBR20100G, MRF20100G
