时间：2025/9/6 22:26:06
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HZM20NB2TR是一款由RENESAS（瑞萨电子）制造的双N沟道功率MOSFET，适用于需要高效率和低导通电阻的应用。这款MOSFET采用TSSOP（薄型小外形封装）封装，具有优良的热性能和电气性能。该器件设计用于高效能、高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等。
类型：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
通道类型：双N沟道
漏源电压(VDS)：20V
栅源电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：4A（每个通道）
导通电阻(RDS(on))：28mΩ（典型值，VGS=4.5V）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TSSOP
HZM20NB2TR具有低导通电阻，使其在高电流应用中能够实现较低的功率损耗。其双N沟道MOSFET结构允许在H桥或双向开关应用中使用单个器件，从而简化电路设计并减少组件数量。此外，该器件具有快速开关特性，适用于高频操作，提高了系统效率。TSSOP封装提供了良好的热管理，确保在高负载条件下仍能保持稳定性能。该MOSFET还具备良好的抗静电能力，增强了器件在生产与使用过程中的可靠性。
HZM20NB2TR适用于多种电源管理和功率控制应用，如DC-DC转换器、负载开关、电机驱动器、LED驱动电路以及便携式设备中的功率管理模块。其双N沟道结构使其特别适合用于H桥驱动电路，用于控制电机方向和速度。此外，该器件也可用于电池供电设备中的高效能开关应用。
Si3442DV-T1-GE3, TPS2R02F, FDC6303N, AO4406A
