类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：100mA（最大值）
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，VGS=10V）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOP-8

TPQ3904具有低导通电阻特性，使其在导通状态下能够提供较低的压降，从而减少功率损耗，提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从+4.5V到+20V的工作电压，这使得TPQ3904可以兼容多种控制电路的输出电压，增强了设计的灵活性。
　　此外，TPQ3904具备良好的热稳定性和抗过载能力，能够在较高的温度环境下稳定工作，适用于各种恶劣工况下的电子设备。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。
　　在可靠性方面，TPQ3904通过了多项工业标准测试，确保在长期运行中保持稳定的电气性能。小型封装设计不仅节省PCB空间，还便于散热管理，适用于便携式设备、消费类电子产品以及工业控制设备。

TPQ3904广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：在电源管理系统中，作为高侧或低侧开关，用于电池供电设备的电源控制；在电机驱动电路中，用于控制直流电机的启停和方向；在LED照明系统中，作为恒流源的开关元件，实现高效率的LED驱动；在工业自动化设备中，作为PLC（可编程逻辑控制器）的输出开关，实现对执行机构的精确控制。
　　此外，TPQ3904也常用于负载开关、电源转换器、DC-DC变换器以及各种低功耗、高效率的开关电路中。由于其优异的电气性能和稳定性，TPQ3904也适用于需要长时间连续工作的设备，如通信模块、安防监控系统以及智能家电等。

2N7002, FDN340P, BSS138