时间：2025/12/27 19:27:29
阅读：28
CD214B-T24A是一款由Central Semiconductor Corp生产的表面贴装肖特基势垒二极管，采用SMA（DO-214AC）封装。该器件专为高频、高效率的整流应用而设计，广泛用于开关模式电源（SMPS）、逆变器、续流二极管以及极性保护电路中。其主要特点是具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间，这使其在高频率工作条件下表现出色，能有效减少功率损耗并提升系统整体效率。该二极管的重复峰值反向电压（VRRM）为20V，最大平均正向整流电流（IF(AV)）为1.5A，适用于低电压、中等电流的应用场景。器件符合RoHS环保标准，并具备良好的热稳定性和可靠性，适合自动化贴片生产工艺。由于其紧凑的SMA封装，CD214B-T24A在空间受限的PCB布局中具有明显优势，是便携式电子设备和高密度电源模块中的理想选择之一。
该型号的命名规则中，“CD”代表Central Semiconductor的二极管产品线，“214B”对应SMA封装形式，“T24A”表示特定的电气参数和批次信息。数据手册建议在使用时注意焊接温度曲线控制，避免热应力对器件造成损伤。此外，尽管该二极管不具备雪崩耐受能力，但在正常工作条件下仍能提供稳定的性能表现。对于需要更高电压或电流规格的设计，可考虑同系列其他型号进行替换或并联使用。
类型：肖特基势垒二极管
封装：SMA（DO-214AC）
重复峰值反向电压 VRRM：20V
最大平均正向整流电流 IF(AV)：1.5A
峰值正向浪涌电流 IFSM：30A（8.3ms单半波）
正向电压降 VF：0.5V（典型值，@ IF = 1A）
反向漏电流 IR：0.1mA（最大值，@ VR = 20V, 25°C）
工作结温范围 TJ：-65°C 至 +125°C
存储温度范围 TSTG：-65°C 至 +150°C
热阻结至环境 RθJA：150°C/W（典型值）
安装方式：表面贴装
CD214B-T24A的核心特性在于其采用了先进的肖特基势垒结构，利用金属-半导体接触形成整流效应，从而实现了比传统PN结二极管更低的正向导通压降和更快的开关速度。这种结构显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在低压大电流的应用中节能效果更为明显。例如，在5V或3.3V的DC-DC转换器中，该二极管能够有效减少发热，提高电源转换效率。同时，由于肖特基二极管没有少数载流子存储效应，因此其反向恢复时间几乎可以忽略不计，通常小于10ns，远优于普通整流二极管，这对于高频开关电源（如工作频率超过100kHz的拓扑）至关重要，有助于减少电磁干扰（EMI）和开关节点振铃现象。
该器件在高温环境下仍能保持良好性能，虽然其最大反向漏电流会随温度升高而增加，但设计时通过合理控制散热路径和环境温度，可在+125°C结温下稳定运行。此外，SMA封装提供了较好的机械强度和焊接可靠性，适合回流焊工艺，满足现代电子产品自动化生产的需求。值得注意的是，肖特基二极管的反向击穿电压相对较低，且不具备雪崩能量承受能力，因此在存在电压瞬态或反向过冲的应用中需额外添加保护电路（如TVS或RC缓冲网络）以防止损坏。总体而言，CD214B-T24A以其高效、紧凑和可靠的特性，成为众多消费类电子、工业控制和通信设备电源设计中的优选方案之一。
CD214B-T24A广泛应用于各类需要高效整流和快速响应的电子系统中。在开关模式电源（SMPS）中，它常被用作次级侧的同步整流替代方案或自由轮转二极管，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和降压型（Buck）拓扑结构中，能够显著提升轻载和满载条件下的转换效率。此外，该二极管也适用于直流-直流（DC-DC）转换模块，尤其是在低输出电压（如1.2V、3.3V、5V）供电系统中，其低正向压降特性可有效降低功耗，延长电池寿命，因此常见于笔记本电脑、路由器、机顶盒等便携式或嵌入式设备的电源管理单元。
在逆变器和UPS（不间断电源）系统中，CD214B-T24A可用于提供续流路径，防止感性负载（如电机、继电器线圈）断电时产生的反电动势损坏主开关器件。它也可作为极性保护二极管，防止电源反接导致后级电路损坏，广泛用于USB接口、电池充电电路和外部电源输入端口。此外，在信号整流、检波电路和钳位保护电路中，该器件凭借其快速响应能力也能发挥重要作用。由于其表面贴装封装形式，特别适合高密度PCB布局和自动化组装流程，因此在消费电子、工业自动化、汽车电子（非动力系统）和通信基础设施等领域均有广泛应用。
MBR140-T1-F
SBM140ALT3G
1N5819WS
SL140PT
ZLLS140A
