时间：2025/6/6 10:52:49
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IRF9956TR是一种N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由Vishay公司生产。它专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和高击穿电压的特点。这种器件适用于各种电源管理场景，如DC-DC转换器、开关电源以及电机驱动等。
IRF9956TR采用了TO-252表面贴装封装形式，有助于实现更高的系统集成度和更小的电路板占用空间。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：1.8A
导通电阻：0.14Ω
栅极电荷：1.3nC
总电容：170pF
功耗：2.5W
工作温度范围：-55℃至150℃
IRF9956TR以其高性能和可靠性著称，以下是其主要特性：
1. 高击穿电压，能够承受高达100V的漏源电压，适合多种高压应用场景。
2. 低导通电阻（Rds(on)），仅为0.14Ω，在大电流条件下能有效降低功率损耗。
3. 快速开关能力，得益于其低栅极电荷（Qg）和总电容（Ciss），从而减少开关损耗。
4. 小型化封装（TO-252），便于表面贴装技术（SMT）装配工艺。
5. 支持宽泛的工作温度范围（-55℃至150℃），在恶劣环境下依然保持稳定性能。
IRF9956TR因其卓越的电气特性和紧凑的封装形式，被广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器的核心功率处理组件。
3. 电池管理系统（BMS）中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
5. 各类工业控制设备中的功率调节单元。
IRF9956
