FMH06N90E是一款高压、高速功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种高功率开关应用。该器件采用先进的平面技术,具有低导通电阻和高开关性能,能够在高电压和大电流条件下稳定工作。FMH06N90E通常用于电源管理、电机控制、LED照明、DC-DC转换器等电力电子系统中。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(VDS):900V
最大漏极电流(ID):6A(在25°C)
导通电阻(RDS(on)):典型值为1.8Ω
最大功耗(PD):50W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-220
栅极阈值电压(VGS(th)):2V至4V
输入电容(Ciss):约1200pF
反向恢复时间(trr):快速恢复
漏极-源极击穿电压:900V
FMH06N90E具有多项优异的电气和热性能,使其在高压应用中表现出色。首先,其900V的漏源电压额定值使其适用于高电压输入的开关电源和工业控制设备。其次,低导通电阻(RDS(on))显著降低了导通损耗,提高了系统的整体效率。此外,该MOSFET具有较高的热稳定性,能够在较高的工作温度下保持稳定的电气性能。
FMH06N90E的封装形式为TO-220,具有良好的散热能力,适合在需要高功率密度的设计中使用。该器件的开关速度快,能够减少开关损耗,提高系统的工作频率,适用于高频开关电源设计。
在可靠性方面,FMH06N90E具有良好的抗雪崩能力和短路耐受能力,能够在严苛的工况下维持稳定运行。此外,该器件的栅极驱动要求较低,通常只需要简单的驱动电路即可实现高效控制。
FMH06N90E广泛应用于各种高电压、中等功率的电子系统中。在开关电源(SMPS)中,该器件常用于反激式、正激式和LLC谐振变换器中,提供高效的直流-直流或交流-直流转换功能。在LED照明系统中,FMH06N90E可用于恒流驱动电路,确保LED的稳定亮度和长寿命。
该MOSFET还适用于电机驱动应用,例如风扇、泵类设备的控制电路,以及工业自动化系统中的功率开关。此外,FMH06N90E也可用于DC-DC升压/降压模块、太阳能逆变器和电池管理系统(BMS)中。
由于其高可靠性和良好的热性能,FMH06N90E也常用于需要长时间连续工作的工业设备和家电产品中,如变频空调、电磁炉、智能电表等。
FQA6N90C, FCP90N6F, IRF840, STF9NK90Z