时间：2025/5/15 17:21:36
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1N5359B是一种硅雪崩整流二极管，广泛用于电路保护和瞬态电压抑制（TVS）应用。该器件能够在高能量浪涌条件下提供快速响应和低箝位电压特性，有效保护敏感电子设备免受过压或静电放电（ESD）损害。它属于1N535x系列，符合工业标准，具有较高的可靠性。
最大反向工作电压：75V
峰值脉冲电流：38.6A
最大反向漏电流：50uA（25℃时）
结电容：约4pF
最大功耗：500W（峰值脉冲条件下）
封装形式：DO-41或DO-204AD
1N5359B具有出色的瞬态电压抑制能力，能够承受高达38.6A的峰值脉冲电流。其快速响应时间使其非常适合在高频电路中使用。此外，该器件具备较低的箝位电压，确保在浪涌事件中对下游电路的有效保护。
该二极管采用硅雪崩技术制造，具备良好的稳定性和耐用性。由于其高能耐受能力，常被设计用于恶劣环境下的电路保护应用。
其封装类型紧凑，便于安装，并且支持表面贴装和通孔安装工艺。
1N5359B主要应用于各种需要瞬态电压抑制的场景，例如通信设备、计算机接口、工业控制系统以及消费类电子产品中的电路保护。它可以用来防止由雷击、开关噪声或其他瞬态事件引起的电压尖峰损坏敏感组件。
典型应用场景包括：
- RS-232/RS-485串行接口保护
- 电话线路保护
- 继电器和电机驱动器的反电动势抑制
- 静电放电（ESD）保护
- 汽车电子系统的瞬态保护
1N5359
SM75A
PMEG5030UA
