类型：N沟道
　　漏极电流（Id）：6.0A
　　漏极-源极击穿电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs=10V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.060Ω @ Vgs=4.5V
　　功率耗散：2.0W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT-223

LNZ9F3V6ST5G MOSFET具有多项优异的电气特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）在10V和4.5V栅极电压下分别达到0.045Ω和0.060Ω，确保在高电流应用中减少功率损耗并提高系统效率。其次，该器件支持高达6A的连续漏极电流，适用于中等功率级别的电源管理需求。此外，其最大漏极-源极电压为30V，具备良好的电压耐受能力，适合多种电源转换和控制应用。
　　该MOSFET采用先进的Trench沟道技术，提供更优的开关性能和更低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗，提高整体系统性能。SOT-223封装具备良好的散热性能，有助于在高功率密度设计中维持器件的稳定性。LNZ9F3V6ST5G还具有低热阻特性，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度，延长使用寿命。
　　此外，该器件符合RoHS环保标准，无铅封装，适合绿色电子产品的设计需求。其栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（支持4.5V以上驱动），便于与各类控制器或驱动电路配合使用。

LNZ9F3V6ST5G广泛应用于多种电源管理系统中，包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动电路以及工业自动化控制系统。由于其高效率和紧凑的SOT-223封装，特别适合空间受限且对热性能要求较高的设计场景，如便携式电子产品、电源适配器、服务器电源模块以及汽车电子系统中的电源管理单元。

Si2302DS, FDN340P, NTD14N03R2G