类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流：115mA
　　最大漏源电压：30V
　　最大栅源电压：20V
　　导通电阻（Rds(on)）：5Ω（最大值）
　　功率耗散：200mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

L2N7002LT1G-MN7002LT1G MOSFET具备多项优良的电气和物理特性，使其在多种电子电路中表现出色。首先，该器件的最大漏极电流为115mA，最大漏源电压为30V，这使其能够承受中等功率的应用需求。此外，其导通电阻较低，最大值为5Ω，有助于减少导通损耗，提高系统的整体效率。
　　其次，该MOSFET具有较高的开关速度，适用于高频开关电路，能够有效提升电路的响应能力和稳定性。栅源电压的最大值为20V，确保了在较宽的电压范围内可以稳定工作，并提供良好的过压保护能力。
　　功率耗散为200mW，确保在常见的表面贴装应用中不会因过热而失效。其工作温度范围为-55°C至150°C，表明该器件可以在极端环境条件下正常运行，适用于工业级和部分汽车电子应用。
　　该器件采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具有良好的热稳定性和机械强度，能够承受焊接过程中的高温冲击。整体来看，L2N7002LT1G-MN7002LT1G是一款性能稳定、适用范围广泛的通用N沟道MOSFET。

由于其优良的电气特性和紧凑的封装形式，L2N7002LT1G-MN7002LT1G MOSFET被广泛应用于多个领域。常见的应用场景包括电源管理电路中的开关元件，如DC-DC转换器、负载开关和电池充电管理电路。此外，该器件也适用于信号切换电路，如多路复用器和模拟开关，能够实现快速和低损耗的信号控制。
　　在消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，L2N7002LT1G-MN7002LT1G用于电源控制和信号路径管理，有助于延长电池寿命并提高系统效率。在工业控制系统中，该MOSFET可用于继电器驱动、传感器接口和电机控制等应用。同时，由于其良好的温度稳定性和可靠性，也适用于汽车电子系统中的低功率控制电路，如车灯控制模块和车载娱乐系统的电源管理单元。

2N7002, BSS138, FDV301N, 2N7002K