时间：2025/8/2 6:54:45
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TPH5R906NH 是一款由东芝（Toshiba）推出的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率、高功率密度的电源应用设计，具有低导通电阻、优异的热性能和高可靠性。TPH5R906NH采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，确保在高电流和高频条件下仍能保持良好的性能表现。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：120A
导通电阻（RDS(on)）：5.9mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：130W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
TPH5R906NH的最大特点在于其非常低的导通电阻，这使得在大电流工作条件下，功率损耗大大降低，从而提高系统的整体效率。
此外，该MOSFET采用了先进的封装技术，具备良好的散热性能，能够在高功率应用中保持稳定的工作温度。
其高耐压特性（60V VDS）使其适用于多种中高压电源转换系统，如DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源和工业电源设备。
TPH5R906NH还具备出色的抗雪崩能力，能够在极端条件下保持稳定运行，增强系统的可靠性和耐用性。
该器件符合RoHS环保标准，适用于现代绿色电子产品的设计要求。
TPH5R906NH广泛应用于各类高功率和高效率的电子系统中，包括但不限于：DC-DC降压或升压转换器、同步整流器、电机控制电路、电池充电器、工业自动化设备、电源管理系统（PSU）、服务器和通信设备电源、电动工具和电动汽车相关系统等。
由于其低导通电阻和高电流能力，TPH5R906NH特别适合用于需要高能效和紧凑型设计的电源模块，能够有效提升整体系统的稳定性和能效表现。
TPH5R906NH的替代型号包括：SiS886CN、NTMFS5C628L、FDMS8878、IRF1324L等。这些MOSFET器件在性能和参数上与TPH5R906NH较为接近，但具体替代应根据实际应用需求进行评估。
