TG35C60 时间：2025/7/23 20:48:05 阅读：8

TG35C60 是一款高压高功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于需要高效能和高可靠性的电力电子应用。该器件采用先进的平面工艺制造，具有优异的导通电阻和开关性能，适用于诸如电源转换器、马达控制、UPS（不间断电源）和工业自动化设备等场景。TG35C60 的设计使其能够在高电压和大电流环境下稳定运行，并具备良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电压（VDS）：600V
　　最大栅极电压（VGS）：±30V
　　最大漏极电流（ID）：35A（在25℃）
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.15Ω
　　耗散功率（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装类型：TO-247

特性

TG35C60 MOSFET 具备多项关键特性，使其在高压和高功率应用场景中表现出色。
　　首先，其最大漏极电压（VDS）为600V，能够承受高电压工作条件，适用于各种高电压电力转换系统。这使得它在电力电子变换器、马达控制和不间断电源系统中具有广泛的适用性。
　　其次，TG35C60 的最大漏极电流为35A（在25℃下），并且在导通状态下具有较低的导通电阻（RDS(on)）约为0.15Ω。这一特性降低了导通损耗，提高了系统的整体效率，同时减少了发热，有助于提高系统的可靠性和寿命。
　　此外，该器件的封装形式为TO-247，这种封装设计具备良好的热管理能力，能够有效地将热量传导到散热器，从而保证器件在高功率下的稳定运行。TO-247 封装也便于安装和维护，适合工业级应用。
　　TG35C60 还具备较高的栅极电压耐受能力，最大栅极电压为±30V，这意味着它可以在较宽的控制电压范围内工作，增强了其在不同电路设计中的灵活性。
　　最后，该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55℃到150℃，能够在极端温度环境下稳定运行，适用于户外设备、工业控制系统和高温环境中的电源管理应用。

应用

TG35C60 MOSFET 主要应用于需要高压和高功率处理能力的电力电子设备中。常见的应用包括电源转换器、UPS（不间断电源）、马达驱动器、工业自动化设备以及电力调节系统。由于其优异的电气性能和可靠性，TG35C60 也广泛用于新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车充电系统。此外，该器件还可用于开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路中，以提高系统的能效和稳定性。