时间：2025/5/10 10:53:59
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DMN6066SSS是一款来自Diodes Incorporated的N沟道增强型MOSFET。该器件采用小型DFN3030-12封装，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于需要高效能和紧凑设计的应用场景。其典型应用包括负载开关、同步整流、DC-DC转换器以及电池供电设备中的功率管理。
这款MOSFET具有出色的热性能和电气性能，能够在高频开关条件下保持较低的功耗，同时具备良好的耐用性和可靠性。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：5.8A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷：9nC
总电容：1150pF
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：DFN3030-12
DMN6066SSS具有超低的导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，它还具备快速开关能力，可减少开关损耗，非常适合高频应用。
该器件采用无引脚表面贴装封装，有助于节省PCB空间并简化设计布局。同时，其出色的热稳定性和电气性能使其能够在恶劣环境下可靠运行。
此外，DMN6066SSS符合RoHS标准，确保环保合规性，并且支持自动化装配流程，提升生产效率。
DMN6066SSS适用于多种电力电子应用，包括但不限于：
1. 消费类电子产品中的负载开关。
2. 同步整流电路以提高效率。
3. DC-DC转换器模块。
4. 移动设备及便携式设备的电源管理。
5. LED驱动器和其他低压功率控制场合。
由于其小尺寸和高性能特点，该MOSFET特别适合于对空间和效率要求较高的设计。
DMN6067SSS
DMN6068LSS
BSC015N06NS3
IRLDS6402TRPBF
