TPH2502-SR是一款高性能的N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于各种电源管理应用。TPH2502-SR通常用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电池保护等场景。
TPH2502-SR的封装形式为SOT-23,这种小型化封装使其非常适合空间受限的设计环境。同时,其出色的电气性能和可靠性保证了在苛刻条件下的稳定运行。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±8V
连续漏极电流:2.4A
导通电阻:160mΩ(典型值)
栅极电荷:3nC(典型值)
总电容:25pF(典型值)
工作温度范围:-55℃至+150℃
TPH2502-SR的主要特点是低导通电阻和快速开关能力,这有助于减少功率损耗并提高效率。此外,该器件还具备以下优点:
1. 小型SOT-23封装,适合紧凑型设计。
2. 高开关速度,适合高频应用。
3. 宽工作温度范围,确保恶劣环境下的稳定性。
4. 符合RoHS标准,绿色环保。
这些特性使得TPH2502-SR成为便携式电子设备、消费类电子产品以及工业控制系统的理想选择。
TPH2502-SR广泛应用于需要高效功率转换和低功耗的场合,包括但不限于:
1. DC-DC转换器中的同步整流开关。
2. 负载开关,用于动态调节电源分配。
3. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机。
4. 电池保护电路,防止过充或过放。
5. 各种消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。
其优异的电气特性和紧凑的封装形式使它特别适合于对空间和能效有严格要求的应用领域。
TPH2501-SR, TPH2503-SR