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H55S5162DFR-75 发布时间 时间:2025/9/1 21:26:02 查看 阅读:6

H55S5162DFR-75 是由Hynix(现代半导体)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款DRAM芯片属于SDRAM(同步动态随机存取存储器)类别,通常用于需要高速数据访问的电子设备中。

参数

容量:256MB
  类型:DRAM
  封装类型:TSOP
  数据速率:166MHz
  电压:3.3V
  位宽:16位
  组织结构:1M x16

特性

H55S5162DFR-75具备高速数据传输能力,其同步动态存储器设计使其能够与系统时钟同步,提高整体性能。该芯片采用TSOP封装技术,具有良好的电气性能和机械稳定性。此外,其16位的位宽设计允许同时传输更多数据,提高数据吞吐量。这款DRAM芯片的工作电压为3.3V,适合在各种工业级环境中运行。其可靠性高,广泛用于需要高性能存储解决方案的设备中。

应用

H55S5162DFR-75常用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备和消费类电子产品中。例如,它可以用于路由器、交换机、智能电视、游戏机以及其他需要大容量高速存储的设备。

替代型号

H57V2562GTFR-75

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