UGF1008G 时间：2025/12/26 11:45:56 阅读：11

UGF1008G是一款由优恩半导体（UNSEM）推出的高压、大电流、快速恢复二极管芯片，广泛应用于开关电源、逆变器、LED驱动电源以及各类高效率整流电路中。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备优良的热稳定性和可靠性，适用于高温、高电压和高电流的工作环境。UGF1008G的命名中，'UG'代表优恩品牌，'F'表示快恢复特性，'1008'表示其反向耐压为1000V，'G'通常为产品后缀标识，可能代表特定封装或批次信息。该芯片常用于TO-220、TO-247等功率封装形式，适合通孔安装，在工业级温度范围内（-55°C至+150°C）稳定工作。其主要优势在于低正向导通压降、高反向击穿电压、快速恢复时间以及优异的抗浪涌能力，能够在高频开关条件下保持较低的开关损耗，从而提升系统整体能效。此外，该器件通过了多项国际安规认证，符合RoHS环保要求，适用于各类绿色节能电子产品设计。

参数

类型：快恢复二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：1000V
　　最大直流阻断电压（VR）：1000V
　　平均整流电流（IO）：8.0A
　　正向压降（VF）：1.35V（典型值，IF=8A）
　　峰值非重复浪涌电流（IFSM）：150A（单次，8.3ms半正弦波）
　　反向恢复时间（trr）：75ns（典型值）
　　反向漏电流（IR）：5μA（最大值，25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-220F、TO-247AD 等

特性

UGF1008G的核心特性之一是其高达1000V的反向耐压能力，使其能够稳定应用于AC-DC转换器的一次侧整流桥或二次侧同步整流替代方案中，尤其是在输入电压波动较大的工业电源系统中表现出色。在高电压等级下，该器件仍能维持较低的正向导通压降（典型值1.35V），有效降低导通损耗，减少发热，提升电源转换效率。
　　其次，UGF1008G具备75ns的快速反向恢复时间（trr），这一参数显著优于普通整流二极管（如1N4007系列，trr约2μs以上）。快速恢复特性意味着在高频开关过程中，二极管从导通状态切换到截止状态的速度更快，减少了反向恢复电荷（Qrr）带来的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合工作频率在几十kHz至数百kHz的开关电源拓扑结构，例如反激式（Flyback）、正激式（Forward）和LLC谐振变换器等。
　　此外，该器件具有较强的浪涌电流承受能力，峰值非重复浪涌电流可达150A，可在开机瞬间或电网突变时有效抵御电流冲击，提高系统的安全性和稳定性。结合其8A的持续平均整流电流能力，UGF1008G可支持中等功率级别的应用（如100W~500W电源模块），满足多数消费类及工业类设备的需求。
　　在可靠性方面，UGF1008G采用优化的PN结结构与钝化工艺，确保在高温高湿环境下仍具有良好的长期稳定性。其工作结温最高可达+150°C，并支持宽范围的存储温度，适应严苛的应用环境。同时，器件内部无铅设计和符合RoHS指令的要求，使其适用于出口型电子产品及环保标准较高的项目。

应用

UGF1008G主要应用于各类需要高电压、大电流整流功能的电力电子系统中。典型应用场景包括：开关模式电源（SMPS）中的主整流桥或输出整流二极管，特别是在PFC（功率因数校正）电路中作为升压二极管使用；在LED恒流驱动电源中用于隔离型反激拓扑的次级整流，因其快速恢复特性可降低开关节点振铃现象，改善EMI性能；在逆变器系统（如太阳能逆变器、UPS不间断电源）中承担直流母线电压的整流与续流功能；在电机驱动控制器中作为续流二极管保护IGBT或MOSFET免受反电动势损坏；此外，还广泛用于适配器、充电器、工业控制电源、家电变频模块等领域。
　　由于其TO-220或TO-247封装具备良好的散热能力，UGF1008G在自然对流或加装散热片条件下均可长时间稳定运行。在设计使用时，建议配合合适的RC缓冲电路以进一步抑制电压尖峰，并注意PCB布局中的热管理，确保焊盘足够大以利于热量传导。对于多相或多路并联应用，应保证各支路阻抗均衡，避免电流不均导致局部过热。总体而言，UGF1008G凭借其高性能参数和可靠品质，已成为中高端电源设计中常用的快恢复二极管型号之一。