类型：MOS FET继电器（无触点继电器）
　　输入正向电压（VF）：1.25 V（典型值，IF=5mA）
　　输入反向电压（VR）：5 V
　　输入电流（IF）：50 mA（最大值）
　　输出导通电阻（RON）：0.018 Ω（典型值，Ta=25°C）
　　输出最大负载电压（VOUT）：60 V（DC）
　　输出连续通态电流（IO）：3 A（最大值）
　　输出峰值电流（IOPK）：6 A（脉冲宽度≤1秒，占空比≤1/10）
　　隔离电压（Viso）：5000 Vrms（1分钟，AC）
　　响应时间（Turn-ON）：1 ms（最大值）
　　响应时间（Turn-OFF）：0.5 ms（最大值）
　　工作温度范围（Ta）：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：TSON-4（超薄小外形无引线封装）
　　安装方式：表面贴装（SMD）

G3VM61G1的核心优势在于其极低的导通电阻，典型值仅为18毫欧，这使得它在传导大电流时产生的热量非常少，显著提高了系统的能效并减少了散热设计的复杂性。这一特性使其特别适合用于电池管理系统（BMS）、电源切换、电机驱动以及需要低损耗信号传输的应用场景。其MOSFET输出结构确保了无触点操作，避免了传统电磁继电器常见的触点磨损、电弧、反弹和寿命限制等问题，从而实现了长达数亿次的操作寿命，极大地提升了系统的长期可靠性。该器件具备优异的电气隔离性能，高达5000 Vrms的隔离电压能够有效防止高压干扰对控制侧电路的影响，保障系统安全，尤其适用于工业控制和医疗设备等对绝缘要求严格的应用。
　　G3VM61G1的输入驱动兼容标准逻辑电平，只需较小的驱动电流即可可靠触发，可直接由微控制器、FPGA或其他数字逻辑电路驱动，无需额外的驱动电路，简化了系统设计。其快速的开关响应时间（开通1ms，关断0.5ms）使其能够适应高频切换应用，提高系统动态响应能力。器件采用小型化的TSON-4封装，体积小巧，节省PCB空间，同时具备良好的热传导性能，有助于热量从底部焊盘传导至PCB，提升功率处理能力。此外，该器件无磁干扰，不会产生电磁噪声，也不会受到外部磁场影响，适用于精密测量仪器和高噪声敏感环境。整体而言，G3VM61G1是一款集高可靠性、低功耗、小尺寸和高性能于一体的先进固态继电器解决方案。

G3VM61G1广泛应用于需要高可靠性、长寿命和低导通损耗的电子控制系统中。在工业自动化领域，常用于PLC模块、传感器接口、I/O控制单元中的信号切换与隔离。在测试与测量设备中，用于自动测试设备（ATE）的信号路由和通道切换，其低导通电阻保证了信号完整性。在医疗电子设备中，由于其高隔离电压和无触点特性，被用于病人监护仪、诊断设备等需要电气安全隔离的场合。在电池管理系统（BMS）中，可用于电池组的充放电回路控制、均衡电路开关等，其低RON有助于减少能量损耗，提高系统效率。此外，该器件也适用于通信设备中的电源管理、服务器和数据中心的冗余电源切换、智能家居控制模块以及汽车电子中的辅助控制电路。由于其表面贴装封装和小型化设计，特别适合高密度、便携式和嵌入式电子产品的开发。

G3VM-61G2
　　G3VM-61H1
　　TLP3543A
　　TLP3545A