时间：2025/5/30 10:21:45
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SPP21N10是一款基于MOSFET技术的功率场效应晶体管，采用先进的制造工艺，专为高效率、低功耗的应用场景设计。其主要特点是具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于多种电源管理领域。
SPP21N10属于N沟道增强型MOSFET，能够承受高达100V的漏源电压，并提供最大21A的连续漏极电流（在特定条件下）。由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，这款器件被广泛应用于消费电子、工业控制以及汽车电子等领域。
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：21A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.0V~4.0V
输入电容(Ciss)：3790pF
总功耗(Ptot)：18W
工作温度范围(Tj)：-55℃~175℃
封装形式：TO-220
SPP21N10采用了优化的芯片结构设计，确保了低导通电阻的同时保持了较高的耐压能力。
该器件具有以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高整体效率。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
4. 紧凑的封装形式，便于电路板布局和散热设计。
5. 广泛的工作温度范围，适应各种恶劣环境下的使用需求。
此外，SPP21N10还具备良好的热稳定性和电磁兼容性，进一步提升了其在实际应用中的表现。
SPP21N10适用于多种电力电子应用场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC转换器、DC-DC变换器等。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. LED驱动器，支持大功率LED照明系统。
4. 电池管理系统(BMS)，用于保护锂电池组免受过充、过放等异常情况的影响。
5. 工业自动化设备，如PLC控制器、变频器等。
6. 汽车电子系统，例如车载充电器、电动助力转向系统(EPAS)等。
IRFZ44N
STP21N10
FDP21N10
