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AUIRF7665S2TR 发布时间 时间:2025/5/15 16:43:50 查看 阅读:19

AUIRF7665S2TR 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252-3表面贴装封装形式。该器件适用于汽车级应用,具有高可靠性、低导通电阻和快速开关速度的特性,能够满足高效能电源转换和电机驱动等需求。
  该芯片由英飞凌(Infineon)制造,专为需要高效率和严格温度控制的环境设计,如汽车电子系统中的DC-DC转换器、负载切换以及电机控制等领域。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:42A
  导通电阻:1.8mΩ
  栅极电荷:39nC
  开关速度:快速
  工作结温范围:-55℃至175℃
  封装形式:TO-252-3

特性

AUIRF7665S2TR具备以下主要特性:
  1. 超低导通电阻(Rds(on)),在典型值为1.8mΩ的情况下,可显著降低传导损耗并提升整体效率。
  2. 高额定电流能力(42A),使其能够在严苛条件下稳定运行。
  3. 符合AEC-Q101标准,确保其在汽车应用中的可靠性和耐用性。
  4. 快速开关速度减少了开关损耗,并提升了高频操作下的性能。
  5. 工作结温高达175℃,适应极端温度环境。
  6. 栅极电荷较低(39nC),有助于减少驱动功耗。
  7. 表面贴装封装形式便于自动化生产和安装,同时节省空间。

应用

AUIRF7665S2TR广泛应用于多种汽车电子系统中:
  1. 汽车DC-DC转换器,用于电池管理系统或车载信息娱乐设备供电。
  2. 电机驱动电路,支持电动车窗、雨刷、座椅调节等功能。
  3. 负载切换和保护电路,实现对不同负载的安全控制。
  4. 开关电源模块,提供高效稳定的电压输出。
  5. 照明系统中的LED驱动电路。
  6. 其他高压、大电流场景下的功率管理解决方案。

替代型号

IRF7665TRPBF

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AUIRF7665S2TR参数

  • 标准包装4,800
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C77A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C62 毫欧 @ 8.9A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds515pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.4W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳DirectFET? 等距 SB
  • 供应商设备封装DIRECTFET SB
  • 包装带卷 (TR)