AUIRF7665S2TR 是一款N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252-3表面贴装封装形式。该器件适用于汽车级应用,具有高可靠性、低导通电阻和快速开关速度的特性,能够满足高效能电源转换和电机驱动等需求。
该芯片由英飞凌(Infineon)制造,专为需要高效率和严格温度控制的环境设计,如汽车电子系统中的DC-DC转换器、负载切换以及电机控制等领域。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:42A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:39nC
开关速度:快速
工作结温范围:-55℃至175℃
封装形式:TO-252-3
AUIRF7665S2TR具备以下主要特性:
1. 超低导通电阻(Rds(on)),在典型值为1.8mΩ的情况下,可显著降低传导损耗并提升整体效率。
2. 高额定电流能力(42A),使其能够在严苛条件下稳定运行。
3. 符合AEC-Q101标准,确保其在汽车应用中的可靠性和耐用性。
4. 快速开关速度减少了开关损耗,并提升了高频操作下的性能。
5. 工作结温高达175℃,适应极端温度环境。
6. 栅极电荷较低(39nC),有助于减少驱动功耗。
7. 表面贴装封装形式便于自动化生产和安装,同时节省空间。
AUIRF7665S2TR广泛应用于多种汽车电子系统中:
1. 汽车DC-DC转换器,用于电池管理系统或车载信息娱乐设备供电。
2. 电机驱动电路,支持电动车窗、雨刷、座椅调节等功能。
3. 负载切换和保护电路,实现对不同负载的安全控制。
4. 开关电源模块,提供高效稳定的电压输出。
5. 照明系统中的LED驱动电路。
6. 其他高压、大电流场景下的功率管理解决方案。
IRF7665TRPBF