时间：2025/12/29 17:08:06
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TP802C09 是一款由国产厂商设计和生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动以及开关电源等场合。这款MOSFET具备较高的耐压能力和较大的导通电流能力，适用于中高功率的电子系统。TP802C09采用了常见的TO-220封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：900V
最大栅源电压(Vgs)：±30V
最大漏极电流(Id)：8A（连续）
导通电阻(Rds(on))：典型值为0.45Ω @ Vgs=10V
功率耗散(Pd)：125W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-220
TP802C09 MOSFET具有优异的开关性能和较低的导通损耗，适合高频开关应用。
其高耐压特性（900V）使其在高压电源系统中表现出色，例如AC-DC电源适配器或高压DC-DC转换器。
该器件的导通电阻较低，有助于降低工作时的功率损耗，提高系统效率。
采用TO-220封装，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。
此外，TP802C09具备较强的抗过载能力和热稳定性，适用于对可靠性要求较高的工业和消费类电子产品。
TP802C09 主要应用于各类电源管理系统中，如AC-DC电源、DC-DC转换器和电机驱动电路。
它也可用于LED照明驱动、电池充电器、逆变器和UPS系统等高压高功率场合。
由于其良好的开关特性和高耐压能力，TP802C09非常适合用于功率因数校正（PFC）电路和高频开关电源设计。
在工业自动化设备和家用电器中也有广泛的应用，例如变频空调、电焊机和智能电表等。
K2647, IRF840, FQA8N90C
