时间：2025/8/6 11:23:25
阅读：14
IXTH4N150 是一款由 Littelfuse（原IXYS）生产的高耐压、高电流能力的N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于高功率开关应用，具备卓越的导通和开关性能，适用于工业电源、电机驱动、逆变器、UPS系统以及各类高功率转换设备。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：1500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：4A（在25°C下）
最大脉冲漏极电流(Idm)：16A
导通电阻(Rds(on))：典型值为2.7Ω（最大3.3Ω）
功率耗散(Pd)：125W（在25°C下）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
IXTH4N150 具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子应用。首先，其高达1500V的漏源击穿电压（Vds）使其适用于高压直流和交流开关应用。其次，虽然其导通电阻相对较高（约2.7Ω），但结合其高电流能力（4A连续漏极电流），能够在高电压环境下提供稳定的导通性能。
该MOSFET采用了先进的平面技术，具备良好的热稳定性和可靠性。其最大功率耗散为125W，能够在高功率密度设计中提供足够的散热能力。此外，该器件的栅极驱动电压范围宽，兼容标准MOSFET驱动电路，便于集成。
IXTH4N150还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，适用于高可靠性系统。其TO-247封装形式便于安装散热片，提升散热效率，适用于高功率环境下的长期运行。
IXTH4N150 主要应用于高压和高功率电力电子系统中。典型应用包括高压电源、高压DC-DC转换器、电机控制、工业自动化设备、逆变器、不间断电源（UPS）以及高压开关电源模块。此外，该MOSFET也可用于高频开关电路和高压负载控制电路中，适用于需要高压隔离和高效率的场合。
IXTH5N150, IXTH4N150D, IRGP50B60PD1, STGF5NC15HM3
