GA0603Y182MXCAC31G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频、高效率的电源转换场景。该器件采用了先进的封装技术,具备低导通电阻和高开关频率的特点,适用于要求高性能和紧凑设计的应用领域。
这款 GaN 晶体管具有增强型场效应晶体管(e-mode FET)结构,能够提供出色的性能表现,同时简化了驱动电路设计。
型号:GA0603Y182MXCAC31G
类型:增强型氮化镓场效应晶体管 (GaN e-mode FET)
额定电压:650V
额定电流:3A
导通电阻:180mΩ(典型值,在 VGS=6V 时)
栅极电荷:7nC(最大值)
开关频率:最高支持 MHz 级别
封装形式:DFN8 封装
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
GA0603Y182MXCAC31G 的主要特性包括以下几点:
1. 高效性能:得益于 GaN 技术,该器件在高频工作条件下仍能保持高效率,减少能量损耗。
2. 快速开关能力:其低栅极电荷和快速开关速度使其非常适合高频应用,例如 DC-DC 转换器和 LLC 谐振变换器。
3. 低导通电阻:180mΩ 的典型导通电阻降低了传导损耗,提升了系统效率。
4. 增强型结构:采用 e-mode 结构,无需复杂的偏置电路即可实现简单可靠的驱动。
5. 小型封装:DFN8 封装减小了整体尺寸,便于设计紧凑型解决方案。
6. 宽工作温度范围:支持从 -55°C 到 +150°C 的环境温度,确保在极端条件下的可靠性。
GA0603Y182MXCAC31G 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS):包括 AC-DC 和 DC-DC 转换器,特别是需要高效率和高频率的场景。
2. 充电器和适配器:用于智能手机、笔记本电脑等设备的快速充电解决方案。
3. 无线电源传输:提升无线充电系统的效率和性能。
4. LED 驱动器:为大功率 LED 照明提供高效驱动方案。
5. 工业电源:适用于工业设备中的各种电源模块。
6. 电机驱动:用于小型电机控制和驱动电路。
7. 能量回收系统:如电池管理系统中的能量转换部分。
GAN063-650WSA
GAN063-650ESA
Infineon CoolGaN 600V系列