制造商：Qorvo
　　产品类型：射频晶体管
　　晶体管类型：NPN SiGeC HBT
　　工作频率：最高可达6 GHz
　　增益：典型值34 dB @ 2.14 GHz
　　输出功率：典型值30 dBm（1 W）
　　静态电流：典型值80 mA
　　集电极-发射极电压（Vce）：最大5 V
　　输入/输出阻抗：50 Ω匹配设计
　　封装类型：SOT-343或类似小型表面贴装封装
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　热阻（Junction-to-Ambient）：约250°C/W
　　线性度（OIP3）：典型值 >45 dBm @ 2.14 GHz
　　噪声系数：典型值1.2 dB @ 2.14 GHz

QM50HC-HE采用先进的硅锗碳化物（SiGeC）异质结双极晶体管技术，这种材料体系相较于传统的GaAs或硅BJT，在高频性能、增益和线性度方面具有显著优势。其核心优势在于能够在高达6 GHz的频率范围内实现高增益（典型值34 dB @ 2.14 GHz）和优异的三阶交调点（OIP3 >45 dBm），这使得它非常适合用于多载波通信系统中的线性放大需求。该器件的低噪声系数（典型值1.2 dB）进一步增强了其在接收前端或低电平信号放大的适用性。
　　该晶体管的设计优化了在2G至5G频段下的能效表现，静态电流仅为80 mA左右，同时可在5 V电源电压下输出高达1 W的功率，展现出出色的功率附加效率（PAE）。这一特性有助于减少系统级散热负担并延长设备使用寿命。其内部结构经过精心布局，确保输入与输出端口均接近50欧姆阻抗匹配，简化了外围匹配网络的设计复杂度，降低了开发周期和成本。
　　封装方面，QM50HC-HE采用小型表面贴装封装（如SOT-343），不仅节省电路板空间，还具备良好的高频响应特性。其热阻约为250°C/W，要求设计者合理布置PCB铜箔面积以增强散热效果。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，并具备一定的ESD耐受能力（HBM模型下可达±1 kV以上），但建议在生产环境中采取防静电措施以避免潜在损伤。
　　此外，QM50HC-HE在温度稳定性和长期可靠性方面表现优异，经过严格的工业级测试认证，可在-40°C至+85°C的宽温环境下持续稳定运行，适用于户外基站、分布式天线系统（DAS）及其他严苛环境下的射频子系统。其一致性高、批次稳定性好，有利于大规模量产应用。

QM50HC-HE广泛应用于现代无线通信基础设施领域，特别是在宏蜂窝、微蜂窝及微微蜂窝基站的射频放大链路中担任驱动放大器或中功率放大级角色。它适用于多模多频段系统，包括GSM、DCS、PCS、UMTS/WCDMA、LTE以及5G NR Sub-6 GHz频段（如2.3 GHz、2.6 GHz、3.5 GHz等），能够满足高线性度与低失真传输的要求。在多载波功率放大器（MCPA）架构中，该器件可有效抑制相邻信道泄漏比（ACLR），确保信号质量符合3GPP规范。
　　除了蜂窝通信外，QM50HC-HE也适用于点对点微波回传、无线本地环路（WLL）、固定无线接入（FWA）终端以及有源天线系统（AAS）。在这些应用中，其高增益和低噪声特性有助于提升系统灵敏度和覆盖范围。此外，该晶体管还可用于宽带数字预失真（DPD）系统的原型开发与验证平台，因其良好的互调性能便于算法调试与优化。
　　在专业射频模块制造商中，QM50HC-HE常被集成于小型化射频卡、功率放大器模块（PAM）或全双工收发前端中，配合定向耦合器、滤波器和电源管理IC共同构成完整的射频解决方案。由于其频率适应性强，也可用于工业、科学和医疗（ISM）频段设备，例如远程监控系统、智能电网通信节点和无人机数据链路等特殊应用场景。

MGA-635P8
　　BGA2809
　　ATA-48611