时间：2025/8/25 6:21:01
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ISL9N322AD3ST 是由 Intersil（现为 Renesas Electronics）生产的一款高电压、高电流、N沟道增强型功率MOSFET。该器件设计用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器以及电池充电系统。ISL9N322AD3ST采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压能力和优异的热稳定性。其封装形式为3引脚的D3PAK（表面贴装），便于在高功率密度电路中使用。该MOSFET具有良好的栅极电荷特性，有助于降低开关损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.075Ω（典型值）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：4V（范围2V至4V）
最大功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装：D3PAK（3引脚，表面贴装）
ISL9N322AD3ST具有多项优异的电气和热性能，适合高功率和高频率的应用环境。
首先，该MOSFET的最大漏源电压为100V，最大连续漏极电流为18A，能够满足中高功率电源系统的需求。其导通电阻仅为0.075Ω，降低了导通损耗，提高了能效。同时，该器件具备良好的栅极电荷（Qg）特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。
其次，ISL9N322AD3ST采用了先进的沟槽式MOSFET制造工艺，增强了导通性能和热稳定性，提高了器件在高温环境下的可靠性。该MOSFET的封装形式为D3PAK，具有较好的散热能力，适用于表面贴装工艺，便于自动化生产。
此外，该MOSFET具有较强的雪崩能量承受能力，能够在高应力条件下保持稳定工作，避免因瞬态电压尖峰导致的损坏。其高可靠性和耐用性使其广泛应用于工业控制、汽车电子、通信设备和消费类电源产品中。
ISL9N322AD3ST广泛应用于多种电源管理与功率控制领域。
首先，它常用于开关电源（SMPS）和DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器，以实现高效率的能量转换。其低导通电阻和优异的开关特性有助于提高电源效率并降低发热。
其次，该MOSFET适用于电机驱动器和负载开关应用，如直流电机控制、步进电机驱动和电磁阀控制等场景，其高电流承载能力和热稳定性确保了在复杂负载条件下的稳定运行。
此外，ISL9N322AD3ST也适用于电池管理系统（BMS），如充电控制器和放电保护电路，能够在高电压和高电流条件下提供可靠的功率控制。
由于其高可靠性，该器件也常用于汽车电子系统，如车载充电器、DC-DC变换器、电动助力转向系统（EPS）等。同时，它还可用于工业自动化设备、服务器电源、LED照明驱动器和家用电器等高功率应用中。
Si9986BDK, FDPF18N50, IRFZ44N, FDS4410
