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TP2540N3-G-P002 发布时间 时间:2025/7/26 6:53:11 查看 阅读:6

TP2540N3-G-P002是一款由Microchip Technology生产的高性能、低功耗的以太网物理层(PHY)收发器芯片,专为工业和通信应用设计。该芯片支持10/100/1000 Mbps的以太网速率,并符合IEEE 802.3标准。TP2540N3-G-P002集成了千兆以太网物理层功能,同时具备强大的信号调节能力和抗干扰能力,适用于工业自动化、网络交换设备、路由器以及通信基础设施等领域。其封装形式为LQFP,适合嵌入到各种高性能网络设备中。

参数

接口类型:RGMII/MII/RMII/GMII
  传输速率:10/100/1000 Mbps
  电源电压:2.5V 和 3.3V 双电源供电
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C(工业级)
  封装类型:LQFP-128
  集成特性:Auto MDI/MDI-X、Auto-Negotiation、节能以太网(EEE)
  最大功耗:约1.5W(典型值)
  支持协议:IEEE 802.3、802.3u、802.3ab、802.3az
  传输距离:100米(使用标准Cat5e及以上网线)

特性

TP2540N3-G-P002具有多项先进的功能特性,使其适用于高要求的工业和通信应用。首先,它支持多种接口模式,包括RGMII、MII、RMII和GMII,提供了广泛的兼容性和灵活性,便于与各种以太网控制器连接。芯片内置的Auto MDI/MDI-X功能可自动识别并适应直连或交叉网线,减少了布线的复杂性。
  其次,TP2540N3-G-P002具备节能以太网(Energy-Efficient Ethernet,EEE)功能,在网络负载较低时可自动降低功耗,有助于提高设备的能效,适用于绿色能源设计。
  此外,该芯片支持自动协商(Auto-Negotiation)功能,能够自动检测连接设备的速率和双工模式,确保最佳的网络性能。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
  在物理层信号处理方面,TP2540N3-G-P002采用了先进的信号调理和噪声抑制技术,确保在长距离传输中仍能保持稳定的信号质量。芯片内部集成了1000BASE-T、100BASE-TX和10BASE-T的物理层编码/解码器,支持全双工和半双工模式,并具备流量控制功能,提升了网络通信的可靠性。
  最后,TP2540N3-G-P002采用了低功耗CMOS工艺制造,结合优化的电源管理设计,使其在高性能运行的同时保持较低的能耗,适用于对功耗敏感的应用场景。

应用

TP2540N3-G-P002广泛应用于工业自动化控制系统、网络交换机、路由器、无线接入点、网络附加存储(NAS)设备、安防监控系统以及智能电网通信设备等领域。其高性能、低功耗和工业级温度特性使其成为工业以太网和嵌入式通信设备的理想选择。

替代型号

KSZ9031RNXIACA-TR、LAN8720A-CP、RTL8211E-VB-CG

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TP2540N3-G-P002参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥11.36840卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)400 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)86mA(Tj)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)25 欧姆 @ 100mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)-
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)125 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)740mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-92-3
  • 封装/外壳TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)