型号：G20N120D
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(VDS)：1200V
　　漏极电流(ID)@25℃：20A
　　漏极脉冲电流(IDM)：80A
　　栅源电压(VGS)：±30V
　　导通电阻(RDS(on))@max：1.2Ω
　　阈值电压(Vth)：5~7V
　　输入电容(Ciss)：6000pF
　　输出电容(Coss)：300pF
　　反向恢复时间(trr)：75ns
　　工作结温(Tj)：-55℃~+150℃
　　封装形式：TO-247

G20N120D的核心特性之一是其高达1200V的漏源击穿电压，使其适用于高压DC-DC转换器、光伏逆变器及工业电机控制系统等对耐压要求极高的应用场景。在如此高的电压等级下，器件仍能保持较低的导通电阻（典型值低于1.2Ω），这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了能源利用效率。这种低RDS(on)得益于优化的芯片结构设计和高质量的硅材料工艺控制，使得单位面积上的电流承载能力更强，同时减少了热量积累，提升了长期工作的可靠性。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和稳定性。G20N120D可在结温范围从-55℃到+150℃之间正常工作，适合极端环境下的工业应用。TO-247封装提供了较大的金属背板面积，有利于通过散热器快速导出内部产生的热量，防止局部过热引发的热失控现象。此外，该器件具有较高的安全工作区（SOA），即使在短时过载或启动冲击电流较大的情况下也能维持稳定运行，避免发生二次击穿等问题。
　　在动态性能方面，G20N120D表现出较快的开关响应速度，输入电容和输出电容经过优化，有助于减少驱动功率需求，并支持数百kHz级别的高频切换操作。尽管其栅极电荷（Qg）相对较高，但通过合理设计栅极驱动电路（如使用专用驱动IC或负压关断技术），可以有效抑制开关过程中的振荡和电磁干扰。同时，内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不如专门的快恢复二极管理想，但在非连续导通模式下仍能满足基本续流需求。
　　最后，G20N120D具备较强的抗静电放电（ESD）能力和抗浪涌电压能力，增强了现场使用的鲁棒性。其坚固的封装结构和内部钝化层设计也提升了防潮、防腐蚀性能，适用于恶劣工业环境。这些综合特性使G20N120D成为高压大功率应用中可靠且高效的选择。

G20N120D主要应用于各类高电压、大电流的电力电子系统中，尤其是在需要高效能量转换和稳定输出的工业设备中发挥重要作用。典型应用包括但不限于：高频开关电源（SMPS），特别是在大功率AC-DC和DC-DC变换器中作为主开关管使用，能够承受整流后的高压直流母线电压，并在PWM控制下实现精确的能量传输；太阳能光伏逆变器系统中，G20N120D可用于直流侧升压电路（Boost Converter），将太阳能电池板输出的不稳定低压直流电升压至适合逆变处理的高压水平，其高耐压和低损耗特性在此类应用中尤为关键。
　　在电机驱动领域，尤其是交流变频器和直流无刷电机控制器中，G20N120D可作为桥式电路中的功率开关元件，参与实现电机的调速与正反转控制。其快速开关能力和良好热稳定性确保了在频繁启停和负载波动情况下的可靠运行。此外，在电焊机电源、感应加热设备和UPS不间断电源系统中，该器件也被广泛采用，用以构建半桥或全桥拓扑结构，完成能量的高效切换与调节。
　　由于其具备较强的抗雪崩能力和较高的安全工作区，G20N120D还可用于一些存在感性负载突变或电压反冲的应用场景，例如电磁阀驱动、继电器控制和脉冲功率放大器等。在这些场合中，器件需承受瞬间反向电动势而不损坏，而G20N120D的结构设计正好满足这一需求。同时，它也可作为IGBT的替代方案，在某些对驱动复杂度敏感的设计中简化电路结构，降低系统成本。总之，G20N120D凭借其高压、大电流、高效率和高可靠性的综合优势，已成为现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

IRGP20B120U-I
　　FGL20N120ANT-F
　　STGF20NC120HD
　　HGTG20N120C3