型号：UPB1A331MPD1TD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDSS)：-30V
　　最大栅源电压(VGS)：±20V
　　最大连续漏极电流(ID)：-4.4A
　　最大脉冲漏极电流(IDM)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))：45mΩ @ VGS = -10V
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ @ VGS = -4.5V
　　阈值电压(Vth)：-1.0V ~ -2.0V
　　输入电容(Ciss)：570pF @ VDS=15V
　　输出电容(Coss)：240pF @ VDS=15V
　　反向传输电容(Crss)：40pF @ VDS=15V
　　栅极电荷(Qg)：9nC @ VGS=10V
　　上升时间(tr)：15ns
　　下降时间(tf)：12ns
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：PowerSSOP8 (PS-8)
　　安装类型：表面贴装

UPB1A331MPD1TD采用罗姆先进的沟槽型MOSFET工艺，具有优异的导通特性和开关性能。其低导通电阻（典型值仅为45mΩ在VGS=-10V条件下）显著降低了导通损耗，提高了系统整体效率，特别适用于需要高效能电源管理的便携式设备和电池供电系统。该器件的P沟道结构使其在高边开关应用中无需额外的电荷泵电路即可实现简单的栅极驱动控制，从而简化了电源设计并减少了外围元件数量。
　　该MOSFET具备出色的热稳定性与电流处理能力，在满载条件下仍能保持较低的温升，得益于其PowerSSOP8封装优化的散热设计，能够有效将热量传导至PCB，提升长期运行的可靠性。此外，该器件具有较低的输入电容和反馈电容，有助于减少开关过程中的能量损耗和噪声干扰，提高高频工作的稳定性。
　　UPB1A331MPD1TD还具备良好的抗雪崩能力和静电放电（ESD）保护性能，增强了在恶劣工作环境下的鲁棒性。其阈值电压范围合理（-1.0V至-2.0V），确保在不同温度和工艺偏差下仍能可靠开启与关断。器件支持快速开关操作，上升时间和下降时间分别仅为15ns和12ns，适合用于高频DC-DC转换器或同步整流等对响应速度要求较高的场合。
　　该产品符合AEC-Q101车规级可靠性标准，表明其在汽车电子应用中也具备一定的适用潜力，尽管主要定位仍集中在工业与消费类领域。此外，器件无铅且符合RoHS指令要求，支持绿色环保制造流程。其小尺寸封装便于自动化贴片生产，适用于大规模量产环境。综合来看，UPB1A331MPD1TD是一款高性能、高可靠性的P沟道MOSFET，兼顾效率、尺寸与成本，广泛适用于现代电子系统中的电源开关与控制功能。

UPB1A331MPD1TD广泛应用于各类需要高效电源管理的电子设备中。常见用途包括便携式电子产品如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的电源路径切换与电池充电管理电路，作为负载开关或背靠背配置用于防止反向电流。在DC-DC降压或升压转换器中，该器件可作为高边开关使用，利用其P沟道特性简化驱动电路设计，避免使用复杂的自举电路或专用驱动芯片。此外，它也适用于USB电源开关、热插拔控制器以及各类电源冗余切换系统。
　　在工业控制系统中，UPB1A331MPD1TD可用于PLC模块、传感器供电控制、继电器替代方案等需要精确电源控制的场景。由于其良好的温度稳定性和可靠性，也可用于嵌入式工控设备和远程数据采集终端。在消费类家电如智能电视、机顶盒、路由器等设备中，该MOSFET常被用作待机电源的开关元件，以降低静态功耗，提升能源效率。
　　此外，该器件还可用于LED照明驱动电路中的开关控制，特别是在需要调光或分组控制的应用中表现良好。在汽车电子辅助系统中，例如车载信息娱乐系统、车内照明控制或小型电机驱动模块，该MOSFET也能发挥其高效率和小体积的优势。总体而言，UPB1A331MPD1TD凭借其优良的电气特性与紧凑封装，成为多种中低功率电源开关应用的理想选择。

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　　 "APM2516NVR-G1",
　　 "Si3463DV-T1-E3",
　　 "FDMS7682",
　　 "RTM004ANDT1G",
　　 "CSD16323Q5"
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