时间:2025/12/28 1:44:23
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FHW1210IF3R9KST是一款由Vishay Dale生产的表面贴装绕线铁氧体磁珠,属于FHW系列。该器件专为高频噪声抑制而设计,适用于需要在不影响信号完整性的情况下滤除电磁干扰(EMI)的应用场景。其紧凑的1210(3225公制)封装使其非常适合空间受限的高密度印刷电路板设计。该磁珠采用绕线结构和高性能铁氧体材料制成,能够在宽频率范围内提供出色的阻抗特性,尤其在高频段表现出色。FHW1210IF3R9KST的标称阻抗为3.9Ω,但这是在100MHz下的直流电阻值,并非最大阻抗点;实际上,其在更高频率下(如数百MHz至GHz范围)的阻抗表现更为显著,能够有效衰减射频噪声。该器件具有良好的电流处理能力,同时保持低直流电阻(DCR),从而减少功率损耗并提高系统效率。FHW1210IF3R9KST符合RoHS和REACH环保标准,且具备优异的温度稳定性和长期可靠性,适合工业、通信和消费类电子等多种应用环境。
器件类型:磁珠
封装/外壳:1210(3225公制)
安装方式:表面贴装(SMD)
额定电流:1.5A
直流电阻(DCR):最大4.5mΩ
阻抗(100MHz):3.9Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +125℃
峰值电流耐受能力:具备一定瞬态过流承受能力
尺寸:3.2mm × 2.5mm × 2.3mm
电感结构类型:绕线式铁氧体磁珠
制造商:Vishay Dale
产品系列:FHW
FHW1210IF3R9KST的核心优势在于其采用绕线铁氧体技术,在保持极低直流电阻的同时实现高效的高频噪声抑制。其绕线结构相较于传统的多层陶瓷磁珠能承受更高的直流偏置电流而不发生饱和,确保在大电流信号路径中仍能维持稳定的滤波性能。该磁珠使用的铁氧体材料具有频率选择性吸收特性,能够在数百MHz到GHz频段内显著提升阻抗,从而有效衰减高速数字电路、开关电源或射频模块产生的共模和差模噪声。
该器件的低DCR(典型值约3.5mΩ,最大4.5mΩ)意味着在通过1.5A额定电流时功耗极小,温升可控,有助于提高系统能效并避免热积累问题。这对于电池供电设备或高密度电源管理单元尤为重要。此外,其1210小型化封装兼容标准贴片工艺,便于自动化生产,同时在PCB布局上占用空间少,有利于终端产品的小型化设计。
FHW1210IF3R9KST具备优良的温度稳定性与机械强度,经过严格的环境测试验证,可在-55℃至+125℃的宽温范围内可靠工作,适用于严苛的工业与汽车电子环境。其无源结构无极性限制,安装使用灵活,且具备良好的抗老化性能和长期稳定性,确保产品在整个生命周期内持续有效抑制EMI干扰。
FHW1210IF3R9KST广泛应用于各类需要高效EMI滤波的电子系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品中的电源轨滤波,例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备的DC-DC转换器输出端,用于抑制开关噪声对敏感模拟电路(如音频、摄像头、传感器)的影响。在通信设备中,该磁珠可用于以太网PHY、USB、HDMI等高速数据线路的电源去耦,防止噪声串扰导致信号完整性下降。
在工业控制系统中,FHW1210IF3R9KST常被部署于PLC、电机驱动器和电源模块的输入输出端口,作为EMI滤波网络的一部分,帮助满足FCC、CE等电磁兼容认证要求。此外,在汽车电子领域,如车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块和车身控制单元中,该磁珠也发挥着关键作用,抑制来自点火系统、电动机或其他高频噪声源的干扰,保障系统稳定运行。
由于其高电流承载能力和低损耗特性,该器件还适用于大电流LED驱动电路、笔记本电脑主板电源管理单元以及服务器电源分配网络中的局部去耦应用,是现代高密度、高频电子设计中不可或缺的EMI抑制元件。