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FZT651TA 发布时间 时间:2025/5/10 17:46:58 查看 阅读:8

FZT651TA是一种NPN型的硅晶体三极管,主要应用于开关和放大电路中。它具有高增益、低噪声以及优良的频率响应特性,广泛用于各种电子设备中,如音频放大器、信号处理电路等。该器件采用TO-126封装形式,便于散热且适合表面贴装工艺。
  这种三极管适用于需要较高电流驱动能力的场合,并且由于其稳定的工作特性和可靠性,在工业控制、消费类电子产品等领域也有广泛应用。

参数

集电极-发射极电压:80V
  集电极电流:4A
  功率耗散:65W
  直流电流增益(hFE):100~400
  过渡频率(fT):300MHz
  工作温度范围:-55℃~150℃
  存储温度范围:-65℃~175℃

特性

FZT651TA具备以下显著特性:
  1. 高电流增益,能够实现高效的信号放大功能。
  2. 支持较高的集电极-发射极耐压,适应于多种电压等级的应用环境。
  3. 具有较低的饱和电压,从而减少功耗并提高效率。
  4. 优秀的热稳定性,在较宽的温度范围内保持性能稳定。
  5. 快速切换能力,适用于高频应用场景。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保设计,满足国际环保法规要求。

应用

FZT651TA常用于以下领域:
  1. 音频功率放大器中的推挽输出级。
  2. 开关电源(SMPS)内的开关元件。
  3. 各种电机驱动电路中的功率控制单元。
  4. 通信设备中的信号调节与放大模块。
  5. 工业自动化系统中的传感器接口电路。
  6. 家用电器及消费类电子产品中的控制电路部分。

替代型号

FZT651, 2SC5198, KSP150G

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FZT651TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)3A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)600mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换175MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-261-4,TO-261AA
  • 供应商设备封装SOT-223
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称FZT651TR