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MT53D512M64D8HR-053 WT:B 发布时间 时间:2025/4/29 10:43:45 查看 阅读:2

MT53D512M64D8HR-053 是一款高性能的 DDR4 内存颗粒,适用于各种需要高带宽和低功耗的应用场景。该芯片由 Micron(美光)生产,采用先进的制程工艺制造,具备出色的稳定性和可靠性。
  该型号中的具体参数可以通过其命名规则解析:512Mx64 表示其容量为 4GB(512M x 64 位),并且支持 ECC 功能。其工作电压较低,适合对能效比有较高要求的设备。

参数

容量:4GB
  位宽:64位
  接口类型:DDR4
  工作电压:1.2V
  数据速率:2666 MT/s
  封装形式:BGA
  引脚数:78-ball
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  引脚间距:1.0mm

特性

MT53D512M64D8HR-053 的主要特点是其高数据传输速率和低功耗设计。这款内存颗粒支持 DDR4 标准的突发长度为 8 或 16,并且兼容多种时序配置以适应不同应用场景的需求。
  此外,该芯片还支持片上寄存器功能,可以优化信号完整性并减少系统级电磁干扰(EMI)。其内置的 ECC(纠错码)功能能够有效检测和纠正单比特错误,从而提升系统的可靠性和稳定性。
  在节能方面,MT53D512M64D8HR-053 支持深度电源降级模式(DPD)和动态刷新模式(DRR),这些特性可以在轻负载或待机状态下进一步降低功耗。
  由于其高稳定性和宽温度范围,该芯片非常适合工业控制、网络通信、服务器以及嵌入式系统等应用领域。

应用

MT53D512M64D8HR-053 主要应用于对性能和稳定性要求较高的领域,例如:
  1. 数据中心和服务器平台,提供高速数据处理能力。
  2. 工业自动化设备,如 PLC 和 CNC 机床控制系统。
  3. 网络通信设备,包括路由器、交换机和防火墙。
  4. 嵌入式计算平台,例如医疗成像设备、视频监控系统和航空航天电子设备。
  5. 游戏主机和其他高性能消费类电子产品。
  其大容量、低功耗和高可靠性的特点使其成为上述应用的理想选择。

替代型号

MT53D512M64D8NR-053 WT:B
  MT53D512M64D8HT-053 WT:B
  MT53D512M64D8BT-053 WT:B

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MT53D512M64D8HR-053 WT:B参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量32Gb
  • 存储器组织512M x 64
  • 存储器接口-
  • 时钟频率1.866 GHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.1V
  • 工作温度-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳366-WFBGA
  • 供应商器件封装366-WFBGA(12x12.7)