时间：2025/5/24 10:51:36
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GA0402Y221MXXAC31G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，专为高频、高效率应用场景设计。该器件采用了先进的GaN工艺，具有极低的导通电阻和开关损耗，适用于各种电源管理领域，如DC-DC转换器、AC-DC适配器和无线充电设备。
与传统的硅基MOSFET相比，GA0402Y221MXXAC31G 提供了更高的开关频率和更小的尺寸，能够显著提升系统效率并减少散热需求。此外，其强大的抗电磁干扰能力也使其成为复杂电子系统中的理想选择。
型号：GA0402Y221MXXAC31G
类型：GaN 功率晶体管
封装形式：DFN5*6
额定电压：650V
额定电流：40A
导通电阻：40mΩ
最大工作温度：-40℃至+150℃
输入电容：1500pF
栅极电荷：65nC
1. 极低的导通电阻和开关损耗，有效提高系统效率。
2. 支持高达几兆赫兹的开关频率，适合高频应用。
3. 具备快速开关速度和出色的热性能。
4. 内置ESD保护电路，增强器件的可靠性。
5. 小型化的封装设计，节省PCB空间。
6. 高度一致的电气特性，简化设计流程。
7. 采用无铅材料，符合RoHS标准，环保友好。
8. 在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
1. 开关电源（Switching Power Supplies）
2. DC-DC转换器
3. AC-DC适配器
4. 快速充电器
5. LED驱动器
6. 无线充电设备
7. 电机驱动
8. 工业自动化设备
9. 数据中心供电模块
10. 新能源汽车充电桩
GAN041-650WSA
TPH3206PS
GXT65R078AL
