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TMS4164-20NLJ 发布时间 时间:2025/7/26 11:23:50 查看 阅读:8

TMS4164-20NLJ 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款动态随机存取存储器(DRAM)芯片,容量为 64K x 1 位。该芯片常用于需要中等容量存储的应用中,其主要特点是高速访问能力和低功耗设计。

参数

容量:64K x 1
  访问时间:20ns
  电源电压:5V
  封装类型:20引脚塑料DIP(NLJ)
  工作温度范围:商业级(0°C 至 70°C)
  数据保持电压:2V 至 5.5V

特性

TMS4164-20NLJ 的主要特性包括高速访问时间(20ns),适合用于对性能有一定要求的系统中。其低功耗设计使其在运行时消耗较少的电能,适用于对功耗敏感的应用场景。该DRAM芯片需要定期刷新以保持数据完整性,通常使用外部刷新电路或控制器来实现。此外,TMS4164-20NLJ 采用标准的20引脚DIP封装,便于插拔和更换,适合在原型设计和教学实验中使用。其工作温度范围为商业级(0°C 至 70°C),适用于大多数非极端环境条件下的应用。
  TMS4164-20NLJ 的接口兼容性强,可以轻松集成到多种系统架构中,尤其是在早期的计算机系统、工业控制设备和测试仪器中广泛应用。该芯片的设计保证了稳定的数据读写性能,适用于需要可靠存储解决方案的场合。

应用

TMS4164-20NLJ 主要用于早期的计算机系统、嵌入式控制系统、工业自动化设备、测试测量仪器以及教育实验平台等需要动态存储器支持的场合。

替代型号

TMS4164-20NLT,TMS4164-20NL,TMS4164-20NLB

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