ESDBLC5V0D3P 是一款基于硅技术的双向瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列,主要用于保护敏感电子设备免受静电放电 (ESD)、电气快速瞬变 (EFT) 和其他电压瞬变的损害。该器件具有低电容特性,非常适合高速数据线和信号线的保护。其设计符合 IEC61000-4-2 国际标准,能够承受高达 ±15kV 的接触放电和 ±30kV 的空气放电。
ESDBLC5V0D3P 提供紧凑型封装(如 SOD-323),便于在空间受限的应用中使用,同时确保了卓越的电气性能和可靠性。
工作电压:5V
峰值脉冲电流:±18A(8/20μs)
钳位电压:7.6V(典型值)
响应时间:≤1ps
结电容:3pF(最大值)
漏电流:1μA(最大值,@VRWM=5.8V)
封装形式:SOD-323
ESDBLC5V0D3P 具有以下显著特点:
1. 双向保护功能,可有效抑制正负方向的过电压瞬变。
2. 极低的结电容(3pF 最大值),适合高速信号线路。
3. 快速响应时间(≤1ps),能够迅速抑制瞬态电压威胁。
4. 高度可靠的 ESD 保护能力,支持 ±15kV 接触放电和 ±30kV 空气放电。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
6. 小型化的 SOD-323 封装,适用于高密度电路板设计。
7. 良好的热稳定性和长期可靠性,能够在恶劣环境中保持性能。
该芯片广泛应用于各种需要高性能 ESD 保护的场景,包括但不限于:
1. USB 数据线保护
2. HDMI 接口保护
3. 高速数据通信接口(如以太网、RS-232、RS-485 等)
4. 消费类电子产品中的音频/视频信号线保护
5. 移动设备和手持设备中的射频线路保护
6. 工业控制设备中的信号输入输出端口保护
ESD5LVC5M0D3P
SMCJ5.0A
PESD5V0YR
TPD5S012