DTA114YKA是一种高性能的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该器件采用N沟道技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,能够有效降低功耗并提升系统效率。
DTA114YKA适用于要求高效率和低损耗的应用场景,其封装形式为TO-220,适合表面贴装和通过孔安装,便于散热设计和应用灵活性。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:50A
导通电阻:1.8mΩ
栅极电荷:12nC
总功耗:150W
工作温度范围:-55℃ to +175℃
封装形式:TO-220
DTA114YKA的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少传导损耗,提高整体能效。
2. 高额定电流能力,支持高达50A的连续漏极电流,适应大功率应用需求。
3. 快速开关性能,得益于较低的栅极电荷和输出电荷,从而减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性,能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的电气性能。
5. 封装具备良好的散热能力,适合需要高效散热的设计。
6. 符合RoHS标准,环保且易于集成到现代电子系统中。
DTA114YKA适用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动器中的功率级开关元件。
3. 工业自动化设备中的负载控制。
4. 电动汽车及电动工具中的功率转换模块。
5. 电池保护电路和充电管理解决方案。
6. 高效DC-DC转换器和逆变器设计。
IRFZ44N
STP50NF06
FDP55N06L