FT0110DN 时间：2025/7/5 18:02:38 阅读：95

FT0110DN 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它专为需要高效能和低导通电阻的应用而设计，适用于多种开关和功率管理场景。该器件采用了先进的制造工艺，具备出色的电气性能和可靠性，适合在高电流和高频应用中使用。
　　FT0110DN 的封装形式通常为 TO-252（DPAK），具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。它的主要特点是低导通电阻、高开关速度和较强的雪崩能力。

参数

最大漏源电压：60V
　　最大栅源电压：±20V
　　持续漏极电流：8A
　　导通电阻：40mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：9nC（典型值）
　　开关时间：ton=13ns，toff=15ns（典型值）
　　结温范围：-55℃ 至 +150℃

特性

FT0110DN 的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够显著降低功率损耗。
　　2. 高速开关能力，支持高频工作环境。
　　3. 较小的栅极电荷需求，可以减少驱动电路的复杂性和功耗。
　　4. 强大的雪崩能量处理能力，提高了系统的可靠性和鲁棒性。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
　　6. 良好的热稳定性和耐受性，适合高温环境下运行。
　　这些特点使得 FT0110DN 成为众多电力电子应用的理想选择。

应用

FT0110DN 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
　　2. 电机驱动和控制电路。
　　3. 电池管理系统 (BMS) 中的负载开关。
　　4. 工业自动化设备中的功率级控制。
　　5. 通信设备中的高效电源模块。
　　6. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
　　其低导通电阻和快速开关能力使其特别适合要求高效能和低功耗的设计。