时间：2023/3/6 16:21:05
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类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
类别：分离式半导体产品
家庭：MOSFET，GaNFET - 单
系列：-
FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 3.4A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：14A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：660pF @ 50V
功率 - 最大：33W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 全封装（直引线）
包装：管件
供应商设备封装：TO-220AB 整包
其它名称：*IRLIB9343PBF
| 厂商 |
|---|
| Infineon / IR |
