KRC654U-RTK是一款由Kec Corporation(现在的UTC,Unisonic Technologies)制造的NPN型双极性晶体管(BJT)。这款晶体管设计用于高频率应用,具有良好的射频(RF)性能,适合在无线通信设备和其他高频电子电路中使用。KRC654U-RTK通常采用SOT-23封装,适用于需要高增益和低噪声放大的场景。
类型:NPN型晶体管
封装类型:SOT-23
最大集电极-发射极电压(Vceo):150V
最大集电极电流(Ic):150mA
最大功耗(Ptot):200mW
最大工作频率(fT):250MHz
电流增益(hFE):在2mA集电极电流下为70-700(具体数值根据数据手册可能分为不同等级)
噪声系数(NF):约0.8dB(典型值)
集电极-基极击穿电压(Vcbo):30V
发射极-基极击穿电压(Vebo):5V
KRC654U-RTK是一款具有高频率特性的NPN晶体管,适用于射频放大器和高频信号处理应用。其主要特性包括低噪声系数、高增益和宽频率响应。该晶体管能够在高频环境下保持良好的性能,因此广泛应用于无线通信系统中的低噪声放大器(LNA)、射频信号放大器以及其他高频电子电路。此外,KRC654U-RTK还具有良好的稳定性和可靠性,在恶劣的工作环境下也能保持稳定运行。其SOT-23封装形式使得它非常适合在空间受限的电路板上使用,并且易于进行自动化装配。
KRC654U-RTK的电流增益范围较宽,能够根据不同的应用需求选择合适的增益等级。它的工作温度范围较宽,通常能够在-55°C至+150°C之间正常工作,适用于各种工业和商业应用。由于其低噪声性能,这款晶体管特别适合用于接收端的前置放大器,以提高信号的接收灵敏度和整体系统性能。此外,KRC654U-RTK的封装设计有助于提高散热性能,确保在较高功率应用中的稳定性。
这款晶体管的射频性能使其成为许多高频电路的理想选择。其高频响应特性意味着它可以在较高的频率下提供良好的增益和信号放大能力。这使得KRC654U-RTK成为许多射频模块、无线发射器和接收器电路的重要组成部分。同时,它的低噪声特性有助于减少信号传输过程中的干扰和失真,从而提高信号的质量和清晰度。
KRC654U-RTK广泛应用于无线通信设备中的射频放大器和低噪声放大器(LNA),如无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、ZigBee设备、RFID读写器等。此外,它也常用于射频信号发生器、测试设备、无线传感器网络以及各类高频电子设备中。由于其良好的高频性能和低噪声特性,KRC654U-RTK也适用于广播接收器、业余无线电设备以及各种射频前端电路。
2N3904, BC547, 2SC3355