时间：2025/7/10 10:02:59
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DMTH6009LK3Q-13是一款高性能的MOSFET功率晶体管，采用TO-263-3封装形式。该器件专为高效率开关应用设计，具有较低的导通电阻和较高的开关速度。它广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种工业控制场景中。
这款MOSFET属于N沟道增强型器件，能够承受较高的漏源电压，并支持大电流操作。其出色的热性能和电气特性使其成为许多高功率密度应用的理想选择。
最大漏源电压：90V
连续漏极电流：60A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=80ns, toff=40ns
工作结温范围：-55℃至175℃
DMTH6009LK3Q-13具备低导通电阻，有助于降低传导损耗并提高系统效率。
该器件的栅极电荷较小，可减少驱动功耗并提升开关频率。
采用TO-263-3封装，提供良好的散热性能和机械稳定性。
内置雪崩能力，增强了器件在异常情况下的耐用性。
符合RoHS标准，环保且适合现代制造工艺要求。
该器件适用于多种应用领域，包括但不限于：
开关模式电源（SMPS）中的主开关管或同步整流器。
直流电机驱动中的高低侧开关。
负载切换和保护电路中的功率开关。
逆变器和转换器模块中的功率级组件。
各类工业自动化设备中的功率控制单元。
DMTH6009LKE3Q-13
IRLB8748PBF
FDP5570N
STP60NF06L
