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TMK105SD102KV-F 发布时间 时间:2025/6/30 16:23:07 查看 阅读:7

TMK105SD102KV-F 是一种高压大功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),专为需要高耐压和低导通电阻的应用而设计。该器件采用先进的制造工艺,具有出色的开关性能和耐用性,适用于电源管理、电机驱动以及工业电子领域。

参数

类型:MOSFET
  极性:N-Channel
  最大漏源电压:1050V
  连续漏极电流:10A
  栅极阈值电压:4V~6V
  导通电阻(典型值):0.8Ω
  工作温度范围:-55℃~+150℃

特性

TMK105SD102KV-F 具有以下显著特性:
  1. 高额定漏源电压(1050V),使其能够适应高电压应用场景。
  2. 较低的导通电阻,有助于降低功耗并提高效率。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下可靠运行。
  4. 快速开关速度,减少开关损耗,适合高频应用。
  5. 内置保护功能(如过流保护等),增强了系统安全性。
  6. 小型封装设计,节省电路板空间,便于布局与散热。

应用

该芯片主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)及 AC/DC 转换器中的主开关元件。
  2. 电机驱动电路中作为功率级开关。
  3. 工业控制设备中的功率模块。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电保护。
  5. 太阳能逆变器及其他新能源相关设备。

替代型号

IRFP460, STP10NK120Z, FQA14P120

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TMK105SD102KV-F参数

  • 标准包装10,000
  • 类别电容器
  • 家庭陶瓷
  • 系列CFCAP™
  • 电容1000pF
  • 电压 - 额定25V
  • 容差±10%
  • 温度系数-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 应用RF,微波,高频
  • 额定值-
  • 封装/外壳0402(1005 公制)
  • 尺寸/尺寸0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm)
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.022"(0.55mm)
  • 引线间隔-
  • 特点低失真
  • 包装带卷 (TR)
  • 引线型-
  • 其它名称587-1052-2CF TMK105 SD102KV-F