TM55DZ-H 时间：2025/9/29 21:14:24 阅读：11

TM55DZ-H是一款由日本东芝（Toshiba）公司生产的光耦合器（光电耦合器），广泛应用于需要电气隔离的电子电路中。该器件通过将发光二极管（LED）与光电探测器集成在一个封装内，实现输入与输出之间的信号传输，同时提供高电压隔离能力，防止噪声干扰和高压冲击对控制侧电路的影响。TM55DZ-H属于晶体管输出型光电耦合器，其输出端采用NPN型光电晶体管结构，适用于直流信号的隔离传输。该器件常用于电源管理、工业控制、通信接口、家电控制板等场景，尤其适合开关电源中的反馈回路设计。TM55DZ-H具有较高的电流传输比（CTR），确保在较低的输入电流下仍能有效驱动输出级，提升系统能效。其封装形式为标准的4引脚DIP（双列直插式）封装，便于手工焊接和自动化装配，兼容主流PCB布局设计。
　　该光耦符合多项国际安全标准，包括UL、CSA、VDE等认证，保证了在高压环境下的长期可靠运行。工作温度范围通常为-55°C至+110°C，适应严苛的工业环境要求。由于其优良的隔离性能和稳定性，TM55DZ-H被广泛用于AC/DC和DC/DC转换器中作为反馈元件，以调节输出电压并实现过压保护功能。此外，它也常见于微控制器与继电器、晶闸管等功率器件之间的隔离驱动电路中，起到保护低压逻辑电路的作用。随着电子产品对安全性与抗干扰能力的要求不断提高，TM55DZ-H凭借其成熟的设计和可靠的性能，在市场上保持了较高的使用率和认可度。

参数

类型：晶体管输出光耦
　　通道数：1
　　输入正向电流：50mA
　　峰值输入电流：1A
　　反向电压：6V
　　输出电压：35V
　　输出电流：100mA
　　集电极-发射极饱和电压：300mV（典型值）
　　电流传输比（CTR）：50%～600%（测试条件：IF=5mA, VCE=5V）
　　隔离电压：5000VRMS
　　工作温度范围：-55°C 至 +110°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：DIP-4
　　响应时间：上升时间 2μs，下降时间 3μs

特性

TM55DZ-H具备优异的电气隔离性能，其最大隔离电压可达5000VRMS，能够有效阻断高电压、高噪声或接地环路对敏感控制电路的干扰，保障系统的安全性和稳定性。这种高隔离能力使其非常适合应用于医疗设备、工业自动化控制系统以及各类开关电源中，特别是在需要满足严格安规认证的产品设计中表现出色。该光耦内部采用高效率的红外发光二极管与硅光电晶体管组合，实现了良好的光转换效率和稳定的信号响应。其电流传输比（CTR）范围宽，典型值在50%到600%之间，意味着即使在较小的输入驱动电流（如5mA）下也能获得足够的输出电流驱动能力，从而降低前级驱动电路的功耗，提高整体能效。这一特性特别适用于低功耗电源设计和电池供电系统。
　　器件的响应速度快，上升时间和下降时间分别仅为2μs和3μs，能够在高频开关环境中准确传递脉冲信号，适用于高达数十kHz的调制频率应用。此外，TM55DZ-H具有良好的线性度和温度稳定性，在宽温度范围内（-55°C至+110°C）仍能保持稳定的CTR特性，避免因环境变化导致的控制偏差。其DIP-4封装不仅便于手工调试和维修，还支持波峰焊和回流焊工艺，适合大规模生产。产品符合RoHS环保标准，不含铅、镉等有害物质，满足现代电子产品对绿色环保的要求。由于其成熟的工艺和长期的市场验证，TM55DZ-H在可靠性方面表现突出，平均无故障时间（MTBF）长，适用于对寿命和稳定性要求较高的工业级应用。

应用

TM55DZ-H主要用于需要电气隔离的各类电子系统中，尤其是在开关电源（SMPS）中作为反馈回路的核心元件，用于将次级侧的电压检测信号传递至初级侧的PWM控制器，实现闭环稳压控制。其高隔离电压和稳定CTR特性确保了电源输出精度和安全性，广泛应用于AC/DC适配器、充电器、LED驱动电源和工业电源模块等产品中。此外，该器件也常用于PLC（可编程逻辑控制器）、I/O接口模块、电机驱动器等工业控制设备中，作为微处理器与外部执行机构（如继电器、电磁阀、晶闸管）之间的隔离屏障，防止强电侧的瞬态电压损坏低压控制电路。
　　在通信领域，TM55DZ-H可用于RS-232、RS-485等串行通信接口的信号隔离，提升系统的抗共模干扰能力，确保数据传输的可靠性。在家用电器中，如空调、洗衣机、微波炉等智能控制板上，该光耦用于隔离主控MCU与交流负载驱动电路，增强用户操作的安全性。此外，它还可用于电池管理系统（BMS）、逆变器、UPS不间断电源等电力电子设备中，承担状态监测信号的隔离传输任务。得益于其紧凑的DIP封装和良好的热稳定性，TM55DZ-H也适用于空间受限但需高可靠性的嵌入式系统设计。