时间：2025/8/5 23:24:47
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IXTA86N20T-TRL 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用，如开关电源、DC-DC 转换器、电机控制和逆变器等。该器件采用了先进的平面技术，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于需要高效能和高可靠性的场景。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压 (VDS)：200V
最大漏极电流 (ID)：86A
导通电阻 (RDS(on))：37mΩ（典型值）
栅极电荷 (Qg)：220nC（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-247
最大功率耗散 (Ptot)：300W
IXTA86N20T-TRL 的主要特点之一是其低导通电阻，这使得在导通状态下能够减少功率损耗并提高系统效率。该器件的 37mΩ RDS(on) 值在高电流应用中表现优异，能够有效降低热量产生。
此外，该 MOSFET 具有高电流承载能力和快速开关速度，非常适合用于高频开关电路。其栅极电荷 (Qg) 为 220nC，保证了较快的开关过渡，减少了开关损耗。
器件采用了 TO-247 封装，具备良好的热管理和机械稳定性，适合在高温环境下运行。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C，确保了在极端环境下的可靠运行。
IXTA86N20T-TRL 还具备出色的雪崩能量耐受能力，使其在面对电压尖峰时具有更强的抗干扰能力，提高了系统的稳定性和寿命。
IXTA86N20T-TRL 主要应用于需要高效率和高可靠性的功率电子设备中。在开关电源（SMPS）中，它能够提供高效的能量转换，减少发热并提高整体系统效率。
在 DC-DC 转换器中，该器件的低导通电阻和快速开关特性有助于实现高频率操作，从而减小外部组件的尺寸，提高功率密度。
在电机控制和逆变器应用中，IXTA86N20T-TRL 的高电流承载能力和抗雪崩能力确保了系统在负载波动时的稳定性，适用于工业自动化、电动汽车和可再生能源系统等领域。
此外，该 MOSFET 还适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及各种功率放大器设计，是一款多功能且性能优异的功率器件。
IXTA86N20X-TRL, IXTK86N20L2-TRL, IXTP86N20T-TRL
