时间：2025/6/30 16:02:08
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CQ0201ARNPO8BN1R0 是一种陶瓷芯片电容器，属于 NPO 类型。该电容器具有高稳定性和低损耗特性，适合用于高频电路中。其采用多层陶瓷技术制造，能够提供稳定的电容值和优异的温度特性。这种型号通常应用于滤波、耦合、去耦等场景。
封装：0201
电容值：1nF
额定电压：16V
耐压范围：-55℃ 至 +125℃
介质材料：NPO
公差：±1%
频率特性：适用于高频应用
CQ0201ARNPO8BN1R0 的主要特点是其采用了 NPO 介质材料，这种材料保证了电容器在宽温度范围内（-55℃ 至 +125℃）具有极高的稳定性。同时，该电容器具备 ±1% 的高精度公差以及低等效串联电阻（ESR），使其非常适合于对稳定性要求较高的高频应用场景。
此外，由于其小型化封装（0201），使得它能够在空间受限的设计中轻松集成，满足现代电子设备对于小型化和高密度组装的需求。
它的高 Q 值和低损耗角正切也使它成为射频和无线通信应用的理想选择。
CQ0201ARNPO8BN1R0 广泛应用于各种高频电路中，例如 RF 滤波器、振荡器、信号耦合与解耦、电源管理模块中的高频旁路以及无线通信设备中的关键组件。由于其出色的温度稳定性和低漂移性能，这款电容器也常被用于精密测量仪器、航空航天设备以及其他需要高可靠性的领域。
CQ0201BRNPO8BN1R0
CQ0201CRNPO8BN1R0
GRM152C80J103KA99L
