时间：2025/5/9 18:09:46
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CRTT032N06N 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等需要高效能功率控制的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，同时具备出色的热性能和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：32A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：19nC
反向恢复时间：87ns
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
CRTT032N06N 具有低导通电阻，能够显著降低传导损耗，提高系统效率。
其快速开关特性和低栅极电荷使其在高频应用中表现出色。
封装形式通常为 TO-220 或 DPAK，有助于散热和简化电路设计。
器件具有较高的雪崩击穿能量，增强了在异常条件下的鲁棒性。
适用于多种工业和消费类电子设备中的功率管理需求。
CRTT032N06N 主要应用于开关电源、DC-DC 转换器、电池管理系统、逆变器、电机驱动器以及 LED 驱动器等领域。
由于其高效的功率转换能力和耐用性，特别适合要求高效率和高可靠性的场景。
此外，该器件也常用于负载开关和保护电路的设计中。
CRTT032N06L
CSD19532KCS
IRFZ44N
