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CL31F225ZAFNNNE 发布时间 时间:2025/6/16 18:14:55 查看 阅读:3

CL31F225ZAFNNNE 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,属于 Cree 公司(现为 Wolfspeed)推出的 GaN 系列产品。该器件采用常关型(E 模式)设计,主要应用于高效率电源转换场景,例如数据中心电源、工业电源以及新能源相关设备。其卓越的开关性能和低导通电阻使其在高频应用中表现出色。
  该型号集成了先进的封装技术以提高散热性能和可靠性,同时提供更高的功率密度和更低的系统成本。

参数

类型:增强型 MOSFET
  材料:氮化镓(GaN)
  最大漏源电压:600V
  连续漏极电流:225A
  导通电阻:7mΩ
  栅极电荷:40nC
  反向恢复时间:无(由于 GaN 技术特性)
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装形式:TO-247-4L

特性

CL31F225ZAFNNNE 的主要特点是结合了氮化镓材料的优异特性和创新的设计理念:
  1. 高效性能:得益于低导通电阻和快速开关能力,能够显著降低导通损耗和开关损耗。
  2. 高频率操作:支持 MHz 级别的开关频率,从而减少磁性元件体积并提升功率密度。
  3. 热管理优化:通过改进封装设计,确保更好的散热性能以应对高功率应用。
  4. 可靠性:具备强大的短路保护能力,并经过严格测试以保证长期运行稳定性。
  5. 易于驱动:兼容标准硅基 MOSFET 栅极驱动器,无需额外复杂电路。

应用

此芯片广泛适用于多种高性能电力电子系统:
  1. 数据中心服务器 PSU(电源供应单元)
  2. 太阳能逆变器中的 DC/DC 和 DC/AC 转换
  3. 电动车车载充电器及电机控制器
  4. 工业级 AC/DC 和 DC/DC 电源模块
  5. 无线充电设备以及其他高频功率变换装置

替代型号

CL31F200ZAFNNNE, CL31F150ZAFNNNE

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CL31F225ZAFNNNE参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列CL
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 电容2.2 μF
  • 容差-20%,+80%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数Y5V(F)
  • 工作温度-30°C ~ 85°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1206(3216 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.063" 宽(3.20mm x 1.60mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.055"(1.40mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-