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TM400DA-H 发布时间 时间:2025/12/28 4:43:48 查看 阅读:12

TM400DA-H是一款由东芝(Toshiba)生产的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于工业电机驱动、逆变器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及各类电力转换系统中。该模块采用先进的硅基技术制造,具有较高的开关频率能力与较低的导通损耗,适用于中高功率密度设计场景。TM400DA-H属于东芝提供的高性能功率模块系列之一,通常以半桥或单开关配置封装,便于在三相逆变电路中使用。该模块集成了IGBT芯片与反并联续流二极管,优化了内部布局以减少寄生电感,并提升热稳定性和长期可靠性。其封装形式为标准工业用压接式或螺栓式模块外壳,具备良好的散热性能和电气绝缘能力,能够在恶劣工业环境下稳定运行。此外,该器件支持直接水冷或风冷散热方式,适合紧凑型高效率电源系统的设计需求。

参数

型号:TM400DA-H
  制造商:Toshiba(东芝)
  器件类型:IGBT模块(半桥配置)
  集电极-发射极电压(Vces):1200V
  集电极电流(Ic)@25°C:400A
  集电极电流(Ic)@100°C:200A
  最大结温(Tj):150°C
  栅极-发射极电压(Vge)范围:-15V 至 +20V
  饱和导通电压(Vce(sat))@Ic=400A, Vge=15V:约3.2V
  关断能量(Eoff)@Ic=400A, Vce=600V:典型值80mJ
  内部反并联二极管:集成快速恢复二极管
  隔离电压:2500VAC(典型)
  安装方式:螺栓固定或压接式安装
  冷却方式:底板式散热,支持风冷/水冷

特性

TM400DA-H IGBT模块的核心特性在于其出色的功率处理能力和高可靠性设计。该模块基于东芝第四代IGBT芯片技术,通过优化载流子注入效率和电场分布结构,显著降低了导通压降与开关损耗之间的权衡关系,从而实现了更高的能效表现。其低Vce(sat)特性使得在大电流工况下仍能保持较低的导通损耗,有助于提升整体系统的热管理效率。同时,该模块具备优异的短路耐受能力,典型短路耐受时间可达10μs以上,增强了系统在异常负载条件下的鲁棒性。
  在开关性能方面,TM400DA-H经过优化设计,可在高达10kHz甚至更高的开关频率下稳定工作,适用于PWM调制精度要求较高的应用场景,如伺服驱动器和变频空调系统。模块内部采用先进的焊接与绑定工艺,确保芯片与基板之间具有良好的电气连接和热传导性能,有效延长器件寿命。此外,模块外壳采用高强度陶瓷绝缘材料(如Al2O3),不仅提供了优异的电气隔离性能,还能承受多次热循环而不产生裂纹或分层现象。
  为了增强系统安全性,TM400DA-H内置了负温度系数(NTC)热敏电阻,可用于实时监测模块底板温度,实现过温保护功能。该传感器信号可接入控制器进行闭环温度管理,防止因局部过热导致的性能下降或损坏。模块还具备良好的EMI抑制能力,得益于内部对称布局和低杂散电感设计,减少了高频噪声对控制电路的干扰。整体而言,TM400DA-H以其高功率密度、高可靠性和灵活的散热方案,成为工业级电力电子设备中的理想选择。

应用

TM400DA-H IGBT模块广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业自动化领域,它常用于通用变频器和伺服驱动器中,作为主逆变桥的核心开关元件,驱动三相交流电机实现精确的速度与转矩控制。由于其高电流承载能力和良好的动态响应特性,特别适合重载启动和频繁启停的应用环境。
  在可再生能源系统中,该模块被广泛应用于光伏并网逆变器,承担直流到交流的能量转换任务。其高效率和宽工作温度范围使其能够适应户外复杂气候条件,提高太阳能发电系统的整体转换效率和运行稳定性。此外,在储能系统(ESS)的双向变流器(PCS)中,TM400DA-H也发挥着关键作用,支持电池充放电过程中的高效能量回馈。
  在不间断电源(UPS)系统中,该模块用于构建DC/AC逆变级,确保市电中断时负载仍能获得持续稳定的交流电源。其快速开关能力和高可靠性保障了UPS在关键时刻的无缝切换与持续供电能力。
  其他应用还包括电焊机电源、感应加热设备、电动汽车充电桩以及轨道交通辅助电源系统等。这些应用均对功率器件的耐用性、效率和安全性提出严格要求,而TM400DA-H凭借其综合性能优势,能够满足多样化的工程设计需求。

替代型号

CM400HA-24H
  FF400R12KS4
  SEMIX404GB126HDs

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