类型：中心抽头双肖特基二极管
　　最大重复峰值反向电压（VRRM）：30V
　　最大直流阻断电压（VR）：30V
　　平均整流电流（IO）：16A（单个二极管）
　　总平均正向整流电流（IO(total)）：32A（中心抽头配置）
　　峰值浪涌正向电流（IFSM）：150A（8.3ms单半正弦波）
　　最大正向电压降（VF）：0.57V @ 8A, TJ=125°C（每个二极管）
　　典型反向漏电流（IR）：0.5mA @ 30V, TJ=25°C；最高可达5mA @ 30V, TJ=125°C
　　结温范围（TJ）：-65°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-65°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-277（D2PAK），表面贴装型
　　引脚数：3
　　极性配置：中心抽头共阴极（Common Cathode）
　　热阻特性：RθJC（结到外壳）≈ 1.2°C/W；RθJA（结到环境）取决于PCB布局，典型值约4°C/W

SBL1630CT的核心特性之一是其低正向导通压降，这得益于其采用的肖特基势垒技术。与传统的PN结二极管相比，肖特基二极管通过金属-半导体结实现整流，避免了少数载流子的注入和复合过程，从而显著降低了正向压降并实现了极快的开关速度。在实际应用中，当每个二极管通过8A电流且结温为125°C时，其典型正向电压仅为0.57V，这意味着每个二极管的导通损耗约为4.56W，在大电流条件下能显著降低整体功耗，提升系统效率。
　　该器件采用中心抽头结构，即两个相同规格的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚，阳极分别引出，这种设计非常适合全波整流拓扑，尤其是在低压输出（如5V、3.3V甚至更低）的开关电源次级侧使用。由于现代电源对效率要求越来越高，特别是在高电流输出场景下，传统整流方案因导通损耗过大已难以满足需求，而SBL1630CT凭借其低VF特性成为理想替代品。
　　SBL1630CT采用TO-277（D2PAK）表面贴装封装，具有优异的散热性能，可通过大面积敷铜焊盘将热量高效传导至PCB，从而支持持续大电流工作。此外，该封装兼容自动贴片工艺，适合大规模生产。器件的反向恢复时间几乎可以忽略不计，属于“准无反向恢复”特性，因此不会产生明显的反向恢复电荷（Qrr），减少了开关过程中的尖峰电压和电磁干扰（EMI），提高了系统的可靠性和稳定性。
　　该产品工作结温可达+150°C，具备良好的高温可靠性，并可在-65°C的低温环境下正常工作，适用于工业级和部分严苛环境下的电源设计。其反向漏电流虽随温度升高有所增加，但在30V工作电压下仍处于可控范围内，不会显著影响系统性能。总体而言，SBL1630CT是一款高效、紧凑且可靠的功率整流解决方案，尤其适合追求高功率密度和高能效的应用场景。

SBL1630CT广泛应用于各类需要高效低压大电流整流的电源系统中。最典型的应用是在开关模式电源（SMPS）的次级侧作为全波整流元件，特别是在反激式（Flyback）、正激式（Forward）和推挽式（Push-Pull）拓扑结构中，用于将高频交流电压转换为稳定的直流输出。由于其额定电压为30V，适合用于输出电压在12V及以下的电源模块，例如笔记本电脑适配器、台式机主板供电、路由器和交换机电源单元等通信设备电源。
　　在DC-DC转换器中，尤其是非隔离型降压（Buck）变换器的续流路径或同步整流替代方案中，SBL1630CT也常被用作低损耗续流二极管。虽然目前许多高端设计已转向同步整流MOSFET以进一步降低损耗，但在成本敏感或控制复杂度受限的应用中，高性能肖特基二极管仍是首选。此外，在服务器电源、基站电源和嵌入式工业电源中，SBL1630CT因其高可靠性和良好热性能而被广泛采用。
　　该器件还可用于电池充电管理系统、LED驱动电源、便携式设备电源模块以及太阳能逆变器中的辅助电源整流环节。由于其表面贴装封装便于自动化生产和回流焊接，因此特别适合批量制造的消费类电子产品和工业设备。在汽车电子领域，尽管其并非AEC-Q101认证器件，但在非车载但类似严苛环境的工业电源中仍有广泛应用。总之，任何需要在高频、低压、大电流条件下实现高效整流的场合，都是SBL1630CT的理想应用场景。

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　　 "SBT1630CT",
　　 "SLB1630CT",
　　 "MBR1630CT",
　　 "B340LB-13-F",
　　 "STPS1630CT"
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