时间：2025/8/21 16:29:19
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VT1001M5FLX 是一款由 Vishay Siliconix 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于各种电源管理和负载开关电路中。该器件采用先进的沟槽技术，提供了卓越的导通电阻和热性能，适用于低电压和中等功率应用。
类型: P 沟道增强型 MOSFET
漏源电压 (VDS): -20V
栅源电压 (VGS): ±12V
漏极电流 (ID): -4.1A (连续)
导通电阻 (RDS(on)): 0.028Ω @ VGS = -4.5V, ID = -2.1A; 0.042Ω @ VGS = -2.5V, ID = -1.4A
功率耗散 (PD): 1.4W
工作温度范围: -55°C 至 150°C
封装类型: PowerPAK SC-70
VT1001M5FLX 具有极低的导通电阻，能够在低电压应用中提供高效的功率转换能力。该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提高了器件的导通性能和热稳定性。此外，其小型封装设计使其适用于空间受限的应用，例如便携式电子设备和电池供电系统。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持低至 -2.5V 的驱动电压，从而允许其与多种控制器和驱动电路兼容。这种灵活性使其在需要低功耗和高效率的设计中表现优异。
VT1001M5FLX 还具有良好的热管理和过载保护能力，确保在高负载条件下仍能保持稳定运行。其高可靠性设计使其适用于工业控制、通信设备和消费类电子产品中的电源管理模块。
VT1001M5FLX 主要用于电源管理、负载开关、电池供电系统、DC-DC 转换器、负载保护电路以及各种便携式电子设备中的低电压功率控制应用。其优异的性能也使其适用于服务器、路由器和存储设备中的电源模块设计。
Si2301DS, BSS84, FDN340P
